[发明专利]背照式CMOS图像传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201710390933.X | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107154414B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘艳云;董金文;付洋;朱继锋 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种背照式CMOS图像传感器及其制作方法。所述背照式CMOS图像传感器包括第一衬底和第二衬底，在所述第一衬底的正面上形成有多个像素单元，在所述第一衬底的背面形成有多个凹槽，所述凹槽至少具有一个相对于所述第一衬底的背面倾斜的侧壁，所述第二衬底与第一衬底在第一衬底的正面方向上键合。另外，本发明还提供了这种背照式CMOS图像传感器的制作方法。在第一衬底的背面制作的凹槽可以减少入射光在第一衬底背面的光反射损耗，提高背照式CMOS图像传感器的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 背照式CMOS图像传感器 背面 制作 量子效率 像素单元 光反射 入射光 侧壁 键合 | ||
【主权项】：
1.一种背照式CMOS图像传感器，其特征在于，包括：第一衬底，具有正面和背面，所述第一衬底的正面上形成有多个像素单元，所述第一衬底的背面上形成有多个凹槽，所述凹槽位于每个所述像素单元的入射范围内且至少具有一个相对于所述第一衬底的背面倾斜的侧壁；以及第二衬底，与所述第一衬底在第一衬底的正面方向上键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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