[发明专利]金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法及应用有效
申请号: | 201710388329.3 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN107146829B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 彭也庆;胡动力;章金兵;郝刚;刘华 | 申请(专利权)人: | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 338000 江西省新余*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法,其采用含碳化硅、水的制绒预处理液作介质,在超声波作用下对金刚线切割多晶硅片进行超声预处理2‑5min,得到制绒预处理多晶硅片;其中,所述超声处理时的超声频率为20‑100kHz,超声功率为1500‑3000W。所得制绒预处理多晶硅片的表面形成均匀、粗糙的损伤层,损伤层的厚度可与砂浆切割的多晶硅片的相媲美,从而可以采用现有的常规制绒工艺对其进行制绒处理。本发明还提供了一种制绒预处理多晶硅片,以及包含该制绒预处理方法的制绒方法及得到的制绒硅片产品。 | ||
搜索关键词: | 金刚 切割 多晶 硅片 预处理 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将碳化硅粉末分散在水中,得到制绒预处理液,其中,碳化硅在所述制绒预处理液中的质量分数为2‑10%,所述碳化硅的圆度为0.85‑0.95;(2)将金刚线切割多晶硅片放置于装有所述制绒预处理液的容器中,在超声波条件下,进行超声处理2‑5min,得到制绒预处理多晶硅片,其具有厚度为8‑12μm的均匀粗糙的表面损伤层;其中,所述超声处理时的超声频率为20‑100kHz,超声功率为1500‑3000W。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的