[发明专利]金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法及应用有效
申请号: | 201710388329.3 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN107146829B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 彭也庆;胡动力;章金兵;郝刚;刘华 | 申请(专利权)人: | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 338000 江西省新余*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金刚 切割 多晶 硅片 预处理 方法 应用 | ||
1.一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将碳化硅粉末分散在水中,得到制绒预处理液,其中,碳化硅在所述制绒预处理液中的质量分数为2-10%,所述碳化硅的圆度为0.85-0.95;
(2)将金刚线切割多晶硅片放置于装有所述制绒预处理液的容器中,在超声波条件下,进行超声处理2-5min,得到制绒预处理多晶硅片,其具有厚度为8-12μm的均匀粗糙的表面损伤层;其中,所述超声处理时的超声频率为20-100kHz,超声功率为1500-3000W。
2.如权利要求1所述的制绒预处理方法,其特征在于,所述制绒预处理液在容器中的液位为2-5cm。
3.如权利要求1所述的制绒预处理方法,其特征在于,所述超声处理时的温度控制在25-60℃。
4.如权利要求1所述的制绒预处理方法,其特征在于,所述碳化硅粉末的目数在400目以上。
5.如权利要求1所述的制绒预处理方法,其特征在于,在进行所述超声处理时,同时采用两种以上不同频率的超声波来进行,其中,所述超声波的频率选自20-100kHz中的任意两种以上。
6.如权利要求5所述的制绒预处理方法,其特征在于,所述超声波的频率分别选自20-40kHz、30-60kHz、50-100kHz频段的三种不同频率。
7.如权利要求1-6任一项所述的制绒预处理方法,其特征在于,所述制绒预处理液中还含有表面活性剂,所述表面活性剂的HLB值为10-20;所述预处理液的表面张力35-72达因/厘米。
8.一种制绒预处理硅片,其特征在于,所述制绒预处理硅片是按权利要求1-7任一项所述的制绒预处理方法制得。
9.一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将碳化硅粉末分散在水中,得到制绒预处理液,其中,碳化硅在所述制绒预处理液中的质量分数为2-10%,所述碳化硅的圆度为0.85-0.95;
(2)将金刚线切割多晶硅片放置于装有所述制绒预处理液的容器中,在超声波条件下,进行超声处理2-5min,得到制绒预处理多晶硅片,其具有厚度为8-12μm的均匀粗糙的表面损伤层;其中,所述超声处理时的超声频率为20-100kHz,超声功率为1500-3000W;
(3)将所述制绒预处理多晶硅片进行常规制绒,经水洗、干燥后得到金刚线切割多晶硅片制绒产品。
10.一种采用权利要求9所述的制绒方法制得的金刚线切割多晶硅片制绒产品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的