[发明专利]具有内建电平移位器的锁存器在审
| 申请号： | 201710381521.X | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107516540A | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 杨皓义;李政宏;谢继开;吴福安;黄宗贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露涉及具有内建电平移位器的锁存器。本发明实施例揭露一种半导体装置，其包括第一供应电压、不同于所述第一供应电压的第二供应电压及切换电路。所述切换电路包括输入端，其经配置以接收对应于所述第一供应电压的输入信号；及输出端，其经配置以输出对应于所述第二供应电压的输出信号。所述切换电路是与内建电平移位器组合的锁存器，其提供锁存功能及电平移位功能，且当所述切换电路提供锁存功能时，切断泄漏路径。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电平 移位 锁存器 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：第一供应电压；第二供应电压，其不同于所述第一供应电压；及切换电路，其包括：输入端，其经配置以接收对应于所述第一供应电压的输入信号；及输出端，其经配置以输出对应于所述第二供应电压的输出信号，其中所述切换电路提供锁存功能及电平移位功能及泄漏路径，所述泄漏路径出现在所述切换电路提供电平移位功能时及切断在所述切换电路提供锁存功能时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710381521.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种MRAM芯片及其自刷新方法
- 下一篇：一种MRAM芯片及其自测试方法
