[发明专利]用于检测不闪烁发光二极管的系统及方法

摘要

本发明涉及用于检测不闪烁发光二极管的系统及方法。一种用于检测不闪烁发光二极管LED的图像传感器包含具有像素的像素阵列。每一像素包含：包含第一及第二子像素的子像素、双浮动扩散DFD晶体管及耦合到所述DFD晶体管的电容器。第一子像素包含用于获取第一图像电荷的第一光敏元件及用于选择性地将所述第一图像电荷从所述第一光敏元件转移到第一浮动扩散FD节点的第一转移栅极晶体管。第二子像素包含用于获取第二图像电荷的第二光敏元件及用于选择性地将所述第二图像电荷从所述第二光敏元件转移到第二FD节点的第二转移栅极晶体管。DFD晶体管耦合到所述第一及所述第二FD节点。还描述其它实施例。

主权项

1.一种检测不闪烁高照明元件的图像传感器，其包括：像素阵列，其包含多个像素，所述像素中的每一者包含：(i)多个子像素，其包含第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素，所述第一子像素包含用于获取第一图像电荷的第一光敏元件、用于选择性地将所述第一图像电荷从所述第一光敏元件转移到第一浮动扩散节点的第一转移栅极晶体管及耦合到所述第一光敏元件的第一抗溢出栅极，且所述第二子像素包含用于获取第二图像电荷的第二光敏元件/用于选择性地将所述第二图像电荷从所述第二光敏元件转移到第二浮动扩散节点的第二转移栅极晶体管及耦合到所述第二光敏元件的第二抗溢出栅极，所述第三子像素包含用于获取第三图像电荷的第三光敏元件、用于选择性地将所述第三图像电荷从所述第三光敏元件转移到第三浮动扩散节点的第三转移栅极晶体管及耦合到所述第三光敏元件的第三抗溢出栅极，且所述第四子像素包含用于获取第四图像电荷的第四光敏元件、用于选择性地将所述第四图像电荷从所述第四光敏元件转移到第四浮动扩散节点的第四转移栅极晶体管及耦合到所述第四光敏元件的第四抗溢出栅极，(ii)双浮动扩散晶体管，其耦合到所述第一浮动扩散节点、所述第二浮动扩散节点、所述第三浮动扩散节点及所述第四浮动扩散节点，其中所述双浮动扩散晶体管经由所述第一转移栅极晶体管、所述第二转移栅极晶体管、所述第三转移栅极晶体管及所述第四转移栅极晶体管选择性地耦合到所述第一抗溢出栅极、所述第二抗溢出栅极、所述第三抗溢出栅极及所述第四抗溢出栅极，以及(iii)电容器，其耦合到所述双浮动扩散晶体管，其中所述第一抗溢出栅极经偏置泄漏少于所述第一转移栅极晶体管，其中所述第二抗溢出栅极、所述第三抗溢出栅极及所述第四抗溢出栅极经偏置泄漏多于所述第二转移栅极晶体管、所述第三转移栅极晶体管及所述第四转移栅极晶体管，且其中在信号积分期间，所述双浮动扩散晶体管经由所述第一转移栅极晶体管选择性地耦合到所述第一抗溢出栅极，且所述电容器存储来自所述第一光敏元件的溢出电荷。