[发明专利]TFT阵列基板结构

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板结构，在钝化绝缘层(8)上设置第一通孔(V1)，在钝化绝缘层(8)与栅极绝缘层(3)上设置第二通孔(V2)，且所述第一通孔(V1)与第二通孔(V2)沿横向间隔设置，在所述第一通孔(V1)内、第二通孔(V2)内、及第一通孔(V1)与第二通孔(V2)之间沉积用于连接第三漏极(D3)与公共电压线(Com)的导电薄膜(9)，能够避免倒角问题，防范导电薄膜发生断裂及接触不良的风险，使放电TFT与公共电压线之间的连接可靠，提升TFT阵列基板的良率及其信赖性。

主权项

一种TFT阵列基板结构，其特征在于，包括自下至上依次层叠设置的第一金属层、栅极绝缘层(3)、半导体有源层(5)、第二金属层、及钝化绝缘层(8)；所述TFT阵列基板结构具有多个呈阵列式排布的像素区域，在纵向相邻的两像素区域内，所述第一金属层包括沿横向延伸的公共电压线(Com)、及栅极线(G)，所述第二金属层包括沿纵向延伸的数据线(D)、与所述数据线(D)连接的第一源极(S1)、与所述数据线(D)连接的第二源极(S2)、与所述第一源极(S1)相对设置的第一漏极(D1)、与所述第二源极(S2)相对设置的第二漏极(D2)、与所述第二漏极(D2)连接的第三源极(S3)、及与所述第三源极(S3)相对设置的第三漏极(D3)；所述钝化绝缘层(8)覆盖第二金属层、半导体有源层(5)、与栅极绝缘层(3)；所述钝化绝缘层(8)上设有贯穿该钝化绝缘层(8)的第一通孔(V1)，所述第一通孔(V1)暴露出第三漏极(D3)的部分表面；所述钝化绝缘层(8)与栅极绝缘层(3)上设有贯穿该钝化绝缘层(8)与栅极绝缘层(3)的第二通孔(V2)，所述第二通孔(V2)暴露出公共电压线(Com)的部分表面；所述第一通孔(V1)与第二通孔(V2)沿横向间隔设置；所述第一通孔(V1)内、第二通孔(V2)内、及第一通孔(V1)与第二通孔(V2)之间沉积有用于连接第三漏极(D3)与公共电压线(Com)的导电薄膜(9)。