[发明专利]TFT阵列基板结构

说明书

本发明提供一种TFT阵列基板结构，在钝化绝缘层(8)上设置第一通孔(V1)，在钝化绝缘层(8)与栅极绝缘层(3)上设置第二通孔(V2)，且所述第一通孔(V1)与第二通孔(V2)沿横向间隔设置，在所述第一通孔(V1)内、第二通孔(V2)内、及第一通孔(V1)与第二通孔(V2)之间沉积用于连接第三漏极(D3)与公共电压线(Com)的导电薄膜(9)，能够避免倒角问题，防范导电薄膜发生断裂及接触不良的风险，使放电TFT与公共电压线之间的连接可靠，提升TFT阵列基板的良率及其信赖性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板结构。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)能够显示高清、连续、细腻的画面，越来越受消费者青睐。

现有市场上的TFT-LCD通常包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组。液晶面板由一彩色滤光片(Color Filter，CF)基板、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

TFT-LCD要显示连续、细腻的高清晰画面，需要像素(Pixel)间做亮暗连贯性变化。两个连续变化的像素可以通过不同的开关时间差异所形成的亮度差异实现，但是该方法驱动设计难以实现；另一种方法可以通过给像素在相同时间内充入不同电量来使得上下电极或驱动电极间压差不一致，从而使液晶偏转角度不一致，光透过率不一致，达到亮暗连续变化的要求。现有技术通常通过拉低不同像素的电位来实现在相同充电时间内不同像素的充电饱和度不同、充电电荷不同、电位不一致的效果。

如图1所示，以3个TFT为驱动单元的设计方式已经普遍应用于控制单个像素的充电饱和度，其中栅极线G用于开启第一充电TFT T1、第二充电TFT T2、与放电TFT T3，第一充电TFT T1与第二充电TFT T2这两个TFT主要将数据线D传输的数据信号写入对应的两个相邻像素进行充电，放电TFT T3直接电性连接第二充电TFT T2的漏极与电位较低的公共电压线Com，将与第二充电TFT T2电性连接的像素的电荷导出以拉低该像素的电位。这样设计的优点在于：可以在不牺牲开口率的前提下有效地拉低两相邻像素其中之一的电位。

请同时参阅图2与图3，结合图1，为了实现放电TFT T3的漏极D3与公共电压线Com之间的连接，现有的TFT阵列基板将贯穿该放电TFT T3的漏极D3及其下方半导体有源层400的通孔V1’、和贯穿设于放电TFT T3的漏极D3下方的半导体有源层400与公共电压线Com之间的栅极绝缘层200的公共过孔V2’设计成一体，通过在通孔V1’和公共过孔V2’内沉积导电薄膜如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)来连接放电TFT T3的漏极D3与公共电压线Com。这种现有的TFT阵列基板在制作所述一体的通孔V1’与公共过孔V2’时采用化学刻蚀和物理刻蚀兼具的干法刻蚀，位于放电TFT T3的漏极D3下方的半导体有源层400和栅极绝缘层200在干法刻蚀气体六氟化硫(SF₆)的作用下发生化学反应形成气体挥发，且由于半导体有源层400(材料成分为非晶硅(a-Si)与经过N型重掺杂的非晶硅(N+a-Si))和栅极绝缘层200(材料成分为氮化硅(SiNx))的材料成分不同，与SF₆的刻蚀反应速率不同，加上放电TFT T3的漏极D3的金属断面与半导体有源层400的断面被通孔V1’及公共过孔V2’裸露，导致在TFTT3的漏极D3与半导体有源层400的界面处、及半导体有源层400与栅极绝缘层200的界面处形成如图3所示的倒角(Undercut)问题(用虚线椭圆圈出)，容易造成ITO爬坡发生断裂及接触不良的风险，影响TFT阵列基板的良率及其信赖性。

发明内容