[发明专利]闪存存储单元的形成方法

摘要

本发明提供一种闪存存储单元的形成方法，包括步骤提供衬底，所述衬底表面具有第一介质层，第一介质层表面具有浮栅层；形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第一开口底部的浮栅层，直至暴露出衬底表面为止，在所述浮栅层内形成第二开口；在第一开口底部的浮栅层表面和第二开口底部的衬底表面形成第二介质层；在所述第二介质层表面沉积控制栅层，直到所述第一开口被完全覆盖；对所述控制栅层进行研磨，直到暴露所述第一开口，形成控制栅；在形成所述控制栅之后，去除所述牺牲层、以及所述牺牲层底部的浮栅层，形成浮栅；在所述第一侧墙、控制栅、浮栅和第三介质层两侧形成字线，提高了闪存存储单元的可靠性。

主权项

一种闪存存储单元的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底表面具有第一介质层，第一介质层表面具有浮栅层；在所述浮栅层表面形成牺牲层，所述牺牲层内具有第一开口，所述第一开口底部暴露出所述浮栅层表面；在所述第一开口的侧壁表面形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第一开口底部的浮栅层，直至暴露出衬底表面为止，在所述浮栅层内形成第二开口；在形成所述第二开口之后，在所述第二开口底部的衬底内形成源线掺杂区；在第一开口底部的浮栅层表面和第二开口底部的衬底表面形成第二介质层；在所述第二介质层表面沉积控制栅层，直到所述第一开口被完全覆盖；对所述控制栅层进行研磨，直到暴露所述第一开口，形成控制栅；在形成所述控制栅之后，去除所述牺牲层、以及所述牺牲层底部的浮栅层，形成浮栅；在所述浮栅的侧壁表面形成第三介质层；在所述第一侧墙、控制栅、浮栅和第三介质层两侧形成字线；在所述第一侧墙、控制栅、浮栅和字线两侧的衬底内形成位线掺杂区。