[发明专利]一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710358533.0 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107123600A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 杜鹏飞;张成铖;谢岩;刘选军 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法，包括步骤S1，提供一铝衬垫，于铝衬垫上制备具有暴露铝衬垫上表面的一接触孔的复合结构，且复合结构的上表面及接触孔的侧壁覆盖有一含氟聚合物层；步骤S2，采用等离子体刻蚀接触孔的侧壁上覆盖的含氟聚合物层；步骤S3，刻蚀去除复合结构的上表面覆盖的含氟聚合物层；步骤S4，对暴露出的接触孔和复合结构进行清洗；上述技术方案能够排除接触孔侧壁及复合结构的上表面残留的聚合物对铝衬垫的影响，从而改善晶圆表面的缺陷情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 表面 缺陷 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一铝衬垫，于所述铝衬垫上制备具有暴露所述铝衬垫上表面的一接触孔的复合结构，且所述复合结构的上表面及所述接触孔的侧壁覆盖有一含氟聚合物层；步骤S2，采用等离子体刻蚀所述接触孔的侧壁上覆盖的所述含氟聚合物层；步骤S3，刻蚀去除所述复合结构的上表面覆盖的所述含氟聚合物层；步骤S4，对暴露出的所述接触孔和所述复合结构进行清洗。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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