[发明专利]一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710358533.0 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107123600A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 杜鹏飞;张成铖;谢岩;刘选军 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 表面 缺陷 刻蚀 方法 | ||
1.一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法，其特征在于，包括：
步骤S1，提供一铝衬垫，于所述铝衬垫上制备具有暴露所述铝衬垫上表面的一接触孔的复合结构，且所述复合结构的上表面及所述接触孔的侧壁覆盖有一含氟聚合物层；
步骤S2，采用等离子体刻蚀所述接触孔的侧壁上覆盖的所述含氟聚合物层；
步骤S3，刻蚀去除所述复合结构的上表面覆盖的所述含氟聚合物层；
步骤S4，对暴露出的所述接触孔和所述复合结构进行清洗。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S2中，刻蚀过程使用的工质为惰性气体。
3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。
4.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氩气的流量为900～1100sccm。
5.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S2中，刻蚀过程持续时间为12～18s。
6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S3中，刻蚀过程使用的工质为四氟化碳或者氧气。
7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S3中，刻蚀过程持续时间为25～35s。
8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述复合结构包括：
氮氧化硅层，覆盖于所述铝衬垫的上表面；
硅酸乙酯层，覆盖于所述氮氧化硅层的上表面；
氮化硅层，覆盖于所述硅酸乙酯层的上表面。
9.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为250～350A。
10.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，所述硅酸乙酯层的厚度为4.5～5.5kA。
11.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为5.5～6.5kA。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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