[发明专利]基于横向结构的LED有效
| 申请号： | 201710348698.X | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107248542B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/34;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361021 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于横向结构的LED(10)，包括：SOI衬底(11)；N型Si区域(12)与P型Si区域(13)，设置于所述SOI衬底(11)上部并位于所述SOI衬底(11)的两侧位置处；N型晶化Ge层(14)，设置于所述SOI衬底(11)表面并位于所述N型Si区域(12)与所述P型Si区域(13)的中间位置处；负电极(15)，设置于所述N型Si区域(12)的表面；正电极(16)，设置于所述P型Si区域(13)的表面。本发明纵向结构的LED，利用Si衬底与Ge外延层界面特性好的优势，利用N型Si/张应变Ge/P型Ge纵向结构，极大地提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 横向 结构 led | ||
【主权项】：
1.一种基于横向结构的LED，其特征在于，包括：SOI衬底(11)；N型Si区域(12)与P型Si区域(13)，设置于所述SOI衬底(11)上部并位于所述SOI衬底(11)的两侧位置处；N型晶化Ge层(14)，设置于所述SOI衬底(11)表面并位于所述N型Si区域(12)与所述P型Si区域(13)的中间位置处,所述N型晶化Ge层(14)由Ge籽晶层和Ge主体层经过晶化处理后形成；负电极(15)，设置于所述N型Si区域(12)的表面；正电极(16)，设置于所述P型Si区域(13)的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门科锐捷半导体科技有限公司，未经厦门科锐捷半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710348698.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
