[发明专利]基于横向结构的LED有效
| 申请号： | 201710348698.X | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107248542B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/34;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361021 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 横向 结构 led | ||
1.一种基于横向结构的LED，其特征在于，包括：
SOI衬底(11)；
N型Si区域(12)与P型Si区域(13)，设置于所述SOI衬底(11)上部并位于所述SOI衬底(11)的两侧位置处；
N型晶化Ge层(14)，设置于所述SOI衬底(11)表面并位于所述N型Si区域(12)与所述P型Si区域(13)的中间位置处,所述N型晶化Ge层(14)由Ge籽晶层和Ge主体层经过晶化处理后形成；
负电极(15)，设置于所述N型Si区域(12)的表面；
正电极(16)，设置于所述P型Si区域(13)的表面。
2.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述N型Si区域(12)的掺杂浓度为1×1019cm-3。
3.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述P型Si区域(13)的掺杂浓度为1×1019cm-3。
4.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述Ge籽晶层的厚度为40～50nm。
5.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述Ge主体层的厚度为150～250nm。
6.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述晶化处理包括如下步骤：
将包括所述SOI衬底(11)、所述Ge籽晶层、所述Ge主体层的整个衬底材料加热至700℃；
利用激光再晶化工艺晶化所述整个衬底材料；其中激光再晶化工艺的激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm2，激光移动速度为25mm/s；
对所述整个衬底材料进行高温热退火处理以完成所述晶化处理。
7.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述负电极(15)为Cr-Au合金，厚度为150～200nm。
8.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，所述正电极(16)为Cr-Au合金，厚度为150～200nm。
9.根据权利要求1所述的LED，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层设置于所述SOI衬底(11)及所述N型晶化Ge层(14)的表面，厚度为150～200nm。
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