[发明专利]一种电荷泵及FLAS存储器有效
申请号: | 201710338850.6 | 申请日: | 2017-05-15 |
公开(公告)号: | CN107171547B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 李政达;欧阳托日;任军 | 申请(专利权)人: | 合肥恒烁半导体有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;G11C5/14;G11C16/30 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 230041 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种电荷泵,包括:N级升压电路,所述N级升压电路中N为大于1的整数;每级升压电路包括一主电容,沿着N级升压电路中电压信号的输出方向,前一级升压电路中的主电容值大于等于后一级升压电路中的主电容值。本发明基于主电容面积不变的条件,将每一级的主电容值重新进行分配。根据电荷守恒,后一级主电容中的电荷均由前一级主电容传输,若前一级主电容大于等于后一级主电容,前一级往后一级传输的电荷量便会增多,这将提升电荷泵输出电压升压至稳定值的速度。前一级主电容更大些,存储的电荷就更多些;虽然后一级电容的值小了,然而后一级电容一次能够获得的电荷仍然会增加。 | ||
搜索关键词: | 一种 电荷 flas 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种电荷泵,其特征在于,包括:N级升压电路,所述N级升压电路中N为大于1的整数;每级升压电路包括一主电容,沿着N级升压电路中电压信号的输出方向,第一级升压电路中的主电容值大于第二级升压电路中的主电容值,第N‑1级升压电路中的主电容值大于第N级升压电路中的主电容值;位于所述第一级升压电路、第N级升压电路之间的每级升压电路中的主电容值均相等;每级升压电路中的主电容值是利用电荷泵等效模型,以及所述电荷泵等效模型中的延时模型计算得到;所述电荷泵等效模型中的延时模型为:τn=R1C11+(R1+R2)C21+…+(R1+R2+…RN‑1)C(N‑1)1+(R1+R2+…RN)(CN1+CL);其中,R1=1/(fC11),R2=1/(fC21),...,RN=1/(fCN1);f为电荷泵时钟信号的频率;C11为第一级主电容C11的值,C21为第二级主电容C21的值,C(N‑1)1为第N‑1级主电容C(N‑1)1的值,CN1为第N级主电容CN1的值,CL是负载电容;第一级主电容C11的值,通过以下公式计算得到:
第N级主电容CN1的值,通过以下公式计算得到:
其中,CL是负载电容;C为位于所述第一级升压电路、第N级升压电路之间的每级升压电路中的主电容值。
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