[发明专利]一种电荷泵及FLAS存储器有效

专利信息
申请号: 201710338850.6 申请日: 2017-05-15
公开(公告)号: CN107171547B 公开(公告)日: 2019-04-02
发明(设计)人: 李政达;欧阳托日;任军 申请(专利权)人: 合肥恒烁半导体有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;G11C5/14;G11C16/30
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 代理人: 郭桂峰
地址: 230041 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 电荷 flas 存储器
【权利要求书】:

1.一种电荷泵,其特征在于,包括:

N级升压电路,所述N级升压电路中N为大于1的整数;每级升压电路包括一主电容,沿着N级升压电路中电压信号的输出方向,第一级升压电路中的主电容值大于第二级升压电路中的主电容值,第N-1级升压电路中的主电容值大于第N级升压电路中的主电容值;位于所述第一级升压电路、第N级升压电路之间的每级升压电路中的主电容值均相等;

每级升压电路中的主电容值是利用电荷泵等效模型,以及所述电荷泵等效模型中的延时模型计算得到;

所述电荷泵等效模型中的延时模型为:

τn=R1C11+(R1+R2)C21+…+(R1+R2+…RN-1)C(N-1)1+(R1+R2+…RN)(CN1+CL);

其中,R1=1/(fC11),R2=1/(fC21),...,RN=1/(fCN1);f为电荷泵时钟信号的频率;C11为第一级主电容C11的值,C21为第二级主电容C21的值,C(N-1)1为第N-1级主电容C(N-1)1的值,CN1为第N级主电容CN1的值,CL是负载电容;

第一级主电容C11的值,通过以下公式计算得到:

第N级主电容CN1的值,通过以下公式计算得到:

其中,CL是负载电容;

C为位于所述第一级升压电路、第N级升压电路之间的每级升压电路中的主电容值。

2.如权利要求1所述的电荷泵,其特征在于:

每级升压电路包括一主升压子电路和一辅助升压子电路,所述主升压子电路与所述辅助升压子电路电连接;

前一级升压电路中的辅助升压子电路与后一级升压电路中的主升压子电路电连接。

3.如权利要求2所述的电荷泵,其特征在于:

所述主升压子电路包括:一主电容和一主场效应管,所述主电容串接在所述主场效应管的栅极上,所述主场效应管的源极形成主升压子电路的输入端;

所述辅助升压子电路包括:一辅助电容和一辅助场效应管,所述辅助电容串接在所述辅助场效应管的栅极上,所述辅助场效应管的栅极还与所述主场效应管的漏极电连接;所述辅助场效应管的源极与所述主场效应管的源极电连接,所述辅助场效应管的漏极与所述主场效应管的栅极电连接,所述辅助场效应管的漏极还形成辅助升压子电路的输出端;

所述辅助场效应管的漏极还与电源场效应管的漏极电连接,所述电源场效应管的栅极、源极均接电源电压。

4.如权利要求2所述的电荷泵,其特征在于,还包括:

防止倒流的场效应管,所述防止倒流的场效应管的栅极、源极分别与所述第N级升压电路中辅助升压子电路的输出端电连接;

所述防止倒流的场效应管的漏极通过负载电容接地;所述防止倒流的场效应管的漏极形成电荷泵的电压输出端。

5.一种包含如权利要求1~4中任意一项所述的电荷泵的FLASH存储器。

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