[发明专利]基于台阶结构的发光二极管在审
| 申请号： | 201710337000.4 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107275458A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于台阶结构的发光二极管(10)，包括单晶Si衬底(11)第一Ge层(12)，设置于单晶Si衬底(11)表面；Ge基台阶结构(13)，设置于第一Ge层(12)表面的中心位置处；正电极(14)，设置于第一Ge层(12)的上表面并位于Ge基台阶结构(13)两侧的位置处；负电极(15)，设置于Ge基台阶结构(13)的上表面；钝化层(16)，设置于第一Ge层(12)和Ge基台阶结构(13)的上表面以及正电极(14)和Ge基台阶结构(13)的中间。本发明台阶结构的发光二极管，Si衬底上外延Ge层，制备出高质量GeSn层，极大地提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 台阶 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种基于台阶结构的发光二极管(10)，其特征在于，包括：单晶Si衬底(11)；第一Ge层(12)，设置于所述单晶Si衬底(11)表面；Ge基台阶结构(13)，设置于所述第一Ge层(12)表面的中心位置处；正电极(14)，设置于所述第一Ge层(12)的上表面并位于所述Ge基台阶结构(13)两侧的位置处；负电极(15)，设置于所述Ge基台阶结构(13)的上表面；钝化层(16)，设置于所述第一Ge层(12)和所述Ge基台阶结构(13)的上表面以及所述正电极(14)和所述Ge基台阶结构(13)的中间，以形成所述发光二极管(10)。
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