[发明专利]基于台阶结构的发光二极管在审
| 申请号： | 201710337000.4 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107275458A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 台阶 结构 发光二极管 | ||
1.一种基于台阶结构的发光二极管(10)，其特征在于，包括：
单晶Si衬底(11)；
第一Ge层(12)，设置于所述单晶Si衬底(11)表面；
Ge基台阶结构(13)，设置于所述第一Ge层(12)表面的中心位置处；
正电极(14)，设置于所述第一Ge层(12)的上表面并位于所述Ge基台阶结构(13)两侧的位置处；
负电极(15)，设置于所述Ge基台阶结构(13)的上表面；
钝化层(16)，设置于所述第一Ge层(12)和所述Ge基台阶结构(13)的上表面以及所述正电极(14)和所述Ge基台阶结构(13)的中间，以形成所述发光二极管(10)。
2.根据权利要求1所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述第一Ge层(12)包括晶化Ge籽晶层、晶化Ge主体层和第二Ge层；其中，所述Ge主体层设置于所述Ge籽晶层上表面，所述第二Ge层设置于所述Ge主体层上表面。
3.根据权利要求2所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述晶化Ge籽晶层的厚度为40～50nm；所述晶化Ge主体层的厚度为150～250nm；所述第二Ge层的厚度为400-450nm。
4.根据权利要求3所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述晶化Ge籽晶层和所述晶化Ge主体层是经过LRC工艺晶化处理后形成的。
5.根据权利要求4所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述晶化处理包括：
将包括所述单晶Si衬底(11)、所述晶化Ge籽晶层和所述晶化Ge主体层的整个衬底材料加热至700℃；
利用LRC工艺晶化所述整个衬底材料，其中，激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm2，激光移动速度为25mm/s；
自然冷却所述整个衬底材料。
6.根据权利要求1所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述第一Ge层(12)为P型，且掺杂浓度为5×1018cm-3。
7.根据权利要求1所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述Ge基台阶结构(13)包括GeSn层和第三Ge层；其中，所述第三Ge层设置于所述GeSn层上表面。
8.根据权利要求7所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述GeSn层的厚度为150～200nm。
9.根据权利要求7所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述第三Ge层为N型，且厚度为40～60nm、掺杂浓度为1×1019cm-3。
10.根据权利要求1所述的发光二极管(10)，其特征在于，所述正电极(14)和所述负电极(15)为Cr或者Au材料，且其厚度为150～200nm。
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