[发明专利]一种SERS基底及其制备方法有效
申请号: | 201710334855.1 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN107313046B | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 王琦;候旭;毛国明;刘凯;任晓敏 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;G01N21/65 |
代理公司: | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王莹;曹杰 |
地址: | 100876*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种SERS基底及其制备方法,涉及拉曼光谱技术领域。所述方法包括:S0,对衬底依次进行清洗和亲水性处理;S1,采用单分散的纳米小球、纳米晶或量子点,在所述衬底表面形成至少一层规则排布的自组装阵列结构;S2,在所述自组装阵列结构的顶部沉积金属活性层;S3,在所述金属活性层上覆盖碳基纳米材料层得到所述SERS基底。本发明在大面积规则排布的自组装阵列结构上沉积金属活性层,无需退火就可以形成周期性的金属纳米结构,接着覆盖碳基纳米材料层使得金属纳米结构与空气隔绝而避免或减缓其氧化过程,进而使得SERS基底不仅具有非常高的灵敏度,还能维持长久的活性。 | ||
搜索关键词: | 一种 sers 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种SERS基底及其制备方法,其特征在于,包括:/nS1,采用直径为1-1000nm的单分散的纳米小球、纳米晶或量子点,在衬底的表面形成至少一层规则排布的自组装阵列结构;/nS2,在所述自组装阵列结构的顶部沉积厚度为1-300nm的金属活性层;/nS3,在所述金属活性层上覆盖碳基纳米材料层,得到SERS基底;/n所述碳基纳米材料层为厚度为0.3-10nm的石墨烯材料层或厚度为1-10nm的碳包裹层。/n
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