[发明专利]一种SERS基底及其制备方法

权利要求书

1.一种SERS基底及其制备方法，其特征在于，包括：

S1，采用直径为1-1000nm的单分散的纳米小球、纳米晶或量子点，在衬底的表面形成至少一层规则排布的自组装阵列结构；

S2，在所述自组装阵列结构的顶部沉积厚度为1-300nm的金属活性层；

S3，在所述金属活性层上覆盖碳基纳米材料层，得到SERS基底；

所述碳基纳米材料层为厚度为0.3-10nm的石墨烯材料层或厚度为1-10nm的碳包裹层。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，在步骤S1之前还包括：

S0，对衬底依次进行清洗和亲水性处理。

3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述石墨烯材料为石墨烯、氧化石墨烯(GO)、还原氧化石墨烯(rGO)和功能化石墨烯中的一种。

4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述石墨烯材料层通过转移或成膜方式覆盖在所述金属活性层上。

5.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述碳包裹层通过热解法、化学气相沉积法、液相浸渍法或电弧放电法覆盖在所述金属活性层上。

6.根据权利要求1所述方法，其特征在于，在步骤S1中：

所述单分散的纳米小球、纳米晶或量子点通过旋涂、滴涂、浸渍提拉、垂直提拉或液面提拉的方式在所述衬底表面形成至少一层规则排布的自组装阵列结构。

7.根据权利要求6所述方法，其特征在于，所述纳米小球、纳米晶或量子点的材料为聚苯乙烯(PS)、聚苯胺(PAn)、聚吡咯(PPy)、氧硅(SiO_x)、二氧化钛(TiO₂)、二氧化锡(SnO₂)、三氧化二铝(Al₂O₃)、四氧化三铁(Fe₃O₄)、五氧化二钒(V₂O₅)、碳(C)、硅(Si)和II-VI族化合物半导体中的一种。

8.根据权利要求1所述方法，其特征在于，在步骤S2中：

在所述自组装阵列结构上通过蒸发、溅射、离子镀、激光辅助沉积或化学镀的方式沉积厚度为1-300nm的金属活性层，形成金属纳米结构。

9.一种由权利要求1-8任一项所述方法制备的SERS基底，包括：衬底、规则排布在所述衬底表面的自组装阵列结构以及沉积在所述自组装阵列结构顶部的金属活性层，其特征在于，所述金属活性层上覆盖有碳基纳米材料层。