[发明专利]钒的氧化物各向异性刻蚀的方法有效
| 申请号： | 201710334171.1 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107154331B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/305 | 分类号： | H01J37/305;H01C7/02;H01C7/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钒的氧化物各向异性刻蚀的方法。该方法包括以下步骤：S1，采用Cl基气体对VxOy层进行第一等离子体刻蚀，并在刻蚀的过程中通入O2和Ar；S2，采用包括N2、H2和Ar中至少一种的后处理气体对第一等离子体刻蚀后的VxOy层进行等离子处理。由于氯化物沸点相对氟化物高，从而使部分氯化生成物会沉积在侧壁保护侧壁不被继续横向钻蚀，且引入的Ar离子会溅射部分VxOy材质反沉积于侧壁起到保护作用；并且，由于Cl基气体易于空气中的H2O作用而产生的酸性物质，从而通过上述等离子处理能够将吸附于刻蚀表面的酸性物质去除或生成中性物质，进一步有效地避免了刻蚀表面后腐蚀现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体刻蚀 各向异性刻蚀 等离子处理 刻蚀表面 酸性物质 氧化物 侧壁 沉积 氯化物 后处理 侧壁保护 中性物质 氯化 氟化物 有效地 沸点 溅射 刻蚀 吸附 钻蚀 去除 离子 腐蚀 引入 | ||
【主权项】：
1.一种钒的氧化物各向异性刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，采用Cl基气体对VxOy层进行第一等离子体刻蚀，并在刻蚀的过程中通入O2和Ar；S2，采用包括N2、H2和Ar中至少一种的后处理气体对第一等离子体刻蚀后的所述VxOy层进行等离子处理。
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