[发明专利]钒的氧化物各向异性刻蚀的方法有效
| 申请号： | 201710334171.1 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107154331B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/305 | 分类号： | H01J37/305;H01C7/02;H01C7/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体刻蚀 各向异性刻蚀 等离子处理 刻蚀表面 酸性物质 氧化物 侧壁 沉积 氯化物 后处理 侧壁保护 中性物质 氯化 氟化物 有效地 沸点 溅射 刻蚀 吸附 钻蚀 去除 离子 腐蚀 引入 | ||
1.一种钒的氧化物各向异性刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，采用Cl基气体对VxOy层进行第一等离子体刻蚀，并在刻蚀的过程中通入O2和Ar；
S2，采用包括N2、H2和Ar中至少一种的后处理气体对第一等离子体刻蚀后的所述VxOy层进行等离子处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，采用的所述Cl基气体、所述O2和所述Ar的流量配比为1～3:1～3:1～3。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述Cl基气体的流量为5～100sccm，所述O2的流量为20～200sccm，所述Ar的流量为50～100sccm。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一等离子体刻蚀为感性耦合等离子体刻蚀。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述第一等离子体刻蚀的气体压强为3～60mT，上电极射频功率为100～500W，下电极射频功率为30～200W。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述第一等离子体刻蚀的刻蚀温度为20～100℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，采用N2、O2、H2和Ar对第一等离子体刻蚀后的所述VxOy层进行等离子处理。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述N2、所述O2、所述H2和所述Ar的流量配比为1～3:1～3:1～3:1～3。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述N2的流量为10～100sccm，所述O2的流量为10～100sccm，所述H2的流量为5～50sccm，所述Ar的流量为10～100sccm。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述等离子处理的气体压强为3～60mT，上电极射频功率为100W～800W，下电极射频功率为0～100W。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Cl基气体选自Cl2、HCl和BCl3中的任一种或多种。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述VxOy层的材料选自VO、V2O3、VO2和V2O5中的任一种或多种。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1之前，所述方法还包括以下步骤：
提供设置有所述VxOy层的衬底，在所述VxOy层的表面设置掩膜层并对所述掩膜层进行刻蚀，使部分所述VxOy层裸露。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为氮化硅层。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，采用碳氟基气体对所述掩膜层进行第二等离子体刻蚀，并在所述第二等离子体刻蚀的过程中通入O2。
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