[发明专利]一种可抗紫外线擦除的全息存储材料及其制备方法有效
申请号: | 201710333043.5 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN106981295B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 付申成;刘双燕;张昕彤;刘益春 | 申请(专利权)人: | 东北师范大学 |
主分类号: | G11B7/2433 | 分类号: | G11B7/2433;G11B7/2437 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅;王春霞 |
地址: | 130024 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种可抗紫外线擦除的全息存储材料及其制备方法。该包括如下步骤:(1)避光条件下,将二氧化钛薄膜浸渍于磷钨酸水溶液中;(2)紫外光照射下,将经步骤(1)处理后的所述二氧化钛薄膜浸渍于硝酸银溶液中,得到磷钨酸修饰的银/二氧化钛薄膜,即为所述全息存储材料。经磷钨酸修饰后的银/二氧化钛薄膜材料,在紫外光辐照下具有明显的抗紫外擦除的性能,同时,多酸的存在使体系内构建了多种电子传输通道,使写入效率明显提高,并且在多频光的干扰下,具有较高的蓝光全息烧孔、存储性能。因此,磷钨酸可拥有改善现有的银/二氧化钛薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 紫外线 擦除 全息 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种可抗紫外线擦除的全息存储材料的制备方法,包括如下步骤:(1)避光条件下,将二氧化钛薄膜浸渍于磷钨酸水溶液中;(2)紫外光照射下,将经步骤(1)处理后的所述二氧化钛薄膜浸渍于硝酸银溶液中,得到磷钨酸修饰的银/二氧化钛薄膜,即为所述全息存储材料。
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