[发明专利]一种LED芯片光刻显影方法在审
| 申请号： | 201710331429.2 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107132733A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 袁章洁;张力 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G03F7/32;G03F7/16;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片光刻显影方法，包括对LED芯片做表面清洗；采用等离子增强化学气相沉积方法，在LED芯片上制备一层二氧化硅薄膜；在制备的二氧化硅薄膜上均匀涂布一层厚度为3μm的光刻胶；通过曝光机和光罩对LED芯片做图形曝光处理；使用显影液对光刻胶做显影处理，显影时间为60秒，显影温度为20℃～40℃，显影液包括一种强碱、一种弱碱和纯水，强碱质量占比0.5％～5％，弱碱质量占比1％～10％，纯水质量占比85％～98.5％，强碱为氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷、氢氧化铯中任意一种，所述弱碱为氨水或者氢氧化铝；刻蚀暴露的二氧化硅薄膜，将光罩上的图形转移到LED芯片表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 光刻 显影 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片光刻显影方法，其特征在于，包括：对LED芯片做表面清洗；采用等离子增强化学气相沉积方法，在LED芯片上制备一层二氧化硅薄膜；在制备的二氧化硅薄膜上均匀涂布一层厚度为3μm的光刻胶；通过曝光机和光罩对LED芯片做图形曝光处理；使用显影液对光刻胶做显影处理，显影时间为60秒，显影温度为20℃～40℃，其中，所述显影液包括一种强碱、一种弱碱和纯水，其中，强碱质量占比0.5％～5％，弱碱质量占比1％～10％，纯水质量占比85％～98.5％，所述强碱为氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷、氢氧化铯中任意一种，所述弱碱为氨水或者氢氧化铝；刻蚀暴露的二氧化硅薄膜，将光罩上的图形转移到LED芯片表面。
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