[发明专利]一种LED芯片光刻显影方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种LED芯片光刻显影方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种能将电能转化为光能的半导体电子元件，被广泛应用于显示器、照明、警示灯和彩光装饰等领域。

光刻显影是LED制造中重要的工艺步骤之一，该工艺通过一系列工序步骤，将LED芯片表面薄膜的特定部分除去，然后在LED芯片表面形成带有特征图形结构的薄膜。

在光刻显影工艺步骤中要用到光刻胶的显影液，显影液一般为碱性水溶液。最普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵(Tetramethylammonium hydroxide，TMAH)，质量分数一般为25％，显影温度为15℃～25C℃。在光刻显影过程中，显影液的用量很大，而四甲基氢氧化铵型显影液配制难度系数大、原材料贵，故使用显影液成本高，增加了制作LED芯片光刻显影工艺的生产成本，

因此，提供一种生产成本低廉的LED芯片光刻显影方法，是本领域亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种LED芯片光刻显影方法，解决了现有技术中LED芯片光刻显影工艺生产成本高的问题。

本发明提供一种LED芯片光刻显影方法，包括：对LED芯片做表面清洗；采用等离子增强化学气相沉积方法，在LED芯片上制备一层二氧化硅薄膜；在制备的二氧化硅薄膜上均匀涂布一层厚度为3μm的光刻胶；通过曝光机和光罩对LED芯片做图形曝光处理；使用显影液对光刻胶做显影处理，显影时间为60秒，显影温度为20℃～40℃，其中，所述显影液包括一种强碱、一种弱碱和纯水，其中，强碱质量占比0.5％～5％，弱碱质量占比1％～10％，纯水质量占比85％～98.5％，所述强碱为氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷、氢氧化铯中任意一种，所述弱碱为氨水或者氢氧化铝；刻蚀暴露的二氧化硅薄膜，将光罩上的图形转移到LED芯片表面。

进一步的，显影液包括氢氧化钾、氨水和纯水。

进一步的，显影液中氢氧化钾质量占比2％，氨水质量占比5％，纯水质量占比93％。

进一步的，氢氧化钾质量分数为38％～40％，所述氨水质量分数为25％～28％。

进一步的，显影液配制顺序为：首先加入氢氧化钾，然后加入纯水，再加入氨水。

进一步的，显影液的配制温度为18℃～25℃。

进一步的，在制备的二氧化硅薄膜上均匀涂布一层厚度为3μm的光刻胶的方法具体为：LED芯片上添加光刻胶，以1000～2000转/分钟的转速转动LED芯片进行匀胶。

进一步的，在制备的二氧化硅薄膜上均匀涂布一层厚度为3μm的光刻胶的步骤之后，所述LED芯片光刻显影方法还包括:将均匀涂布光刻胶后的LED芯片放置在烘箱中，温度95℃条件烘置2分钟。

进一步的，在使用显影液对光刻胶做显影处理，显影时间为60秒，显影温度为20℃～40℃的步骤之后，所述LED芯片光刻显影方法还包括：将显影后的LED芯片放置在烘箱中，温度100℃～140℃条件烘置10分钟。

进一步的，刻蚀暴露的二氧化硅薄膜，将光罩上的图形转移到LED芯片表面的步骤之后，所述LED芯片光刻显影方法还包括去除光刻胶步骤。

与现有技术相比，本发明的LED芯片光刻显影方法，实现了如下的有益效果：

显影液中主要成分强碱、弱碱和纯水都是常规化学试剂，原料易得且价格低廉，所以配制得到的显影液成本低，并且显影液的溶剂比例可选范围宽，可以根据实际使用需求进行调整，生产使用方便。在LED芯片光刻显影工艺中采用成本低廉的显影液，降低了LED芯片光刻显影工艺的生产成本，并且显影速度快。

当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1为本发明实施例1提供的LED芯片光刻显影方法流程示意图；

图2为本发明实施例提供的LED芯片光刻显影方法中曝光处理示意图；

图3为本发明实施例提供的LED芯片光刻显影方法中显影处理工艺后LED芯片结构示意图；

图4为本发明实施例提供的LED芯片光刻显影方法中刻蚀暴露的二氧化硅薄膜后LED芯片结构示意图。

具体实施方式