[发明专利]一种LED芯片光刻显影方法

权利要求书

1.一种LED芯片光刻显影方法，其特征在于，包括：

对LED芯片做表面清洗；

采用等离子增强化学气相沉积方法，在LED芯片上制备一层二氧化硅薄膜；

在制备的二氧化硅薄膜上均匀涂布一层厚度为3μm的光刻胶；

通过曝光机和光罩对LED芯片做图形曝光处理；

使用显影液对光刻胶做显影处理，显影时间为60秒，显影温度为20℃～40℃，

其中，所述显影液包括一种强碱、一种弱碱和纯水，其中，强碱质量占比0.5％～5％，弱碱质量占比1％～10％，纯水质量占比85％～98.5％，所述强碱为氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷、氢氧化铯中任意一种，所述弱碱为氨水或者氢氧化铝；

刻蚀暴露的二氧化硅薄膜，将光罩上的图形转移到LED芯片表面。

2.根据权利要求1所述的LED芯片光刻显影方法，其特征在于，所述显影液包括氢氧化钾、氨水和纯水。

3.根据权利要求2所述的LED芯片光刻显影方法，其特征在于，所述显影液中氢氧化钾质量占比2％，氨水质量占比5％，纯水质量占比93％。

4.根据权利要求2所述的LED芯片光刻显影方法，其特征在于，所述氢氧化钾质量分数为38％～40％，所述氨水质量分数为25％～28％。

5.根据权利要求2所述的LED芯片光刻显影方法，其特征在于，所述显影液配制顺序为：首先加入氢氧化钾，然后加入纯水，再加入氨水。

6.根据权利要求2所述的LED芯片光刻显影方法，其特征在于，所述显影液的配制温度为18℃～25℃。

7.根据权利要求1所述的LED芯片光刻显影方法，其特征在于，在制备的二氧化硅薄膜上均匀涂布一层厚度为3μm的光刻胶的方法具体为：在所述LED芯片上添加光刻胶，以1000～2000转/分钟的转速转动LED芯片进行匀胶。

8.根据权利要求1所述的LED芯片光刻显影方法，其特征在于，在制备的二氧化硅薄膜上均匀涂布一层厚度为3μm的光刻胶的步骤之后，所述LED芯片光刻显影方法还包括:将均匀涂布光刻胶后的LED芯片放置在烘箱中，温度95℃条件烘置2分钟。

9.根据权利要求1所述的LED芯片光刻显影方法，其特征在于，在使用显影液对光刻胶做显影处理，显影时间为60秒，显影温度为20℃～40℃的步骤之后，所述LED芯片光刻显影方法还包括：将显影后的LED芯片放置在烘箱中，温度100℃～140℃条件烘置10分钟。

10.根据权利要求1所述的LED芯片光刻显影方法，其特征在于，刻蚀暴露的二氧化硅薄膜，将光罩上的图形转移到LED芯片表面的步骤之后，所述LED芯片光刻显影方法还包括去除光刻胶步骤。