[发明专利]一种高带宽下提高DDR RAM接口带宽的FPGA实现方法有效

专利信息
申请号: 201710330941.5 申请日: 2017-05-11
公开(公告)号: CN107133407B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 马彬 申请(专利权)人: 成都欧飞凌通讯技术有限公司
主分类号: G06F30/34 分类号: G06F30/34;G11C16/10
代理公司: 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 代理人: 张鸣洁
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种高带宽下提高DDR RAM接口带宽的FPGA实现方法,包括以下步骤:1)计算并行级联的DDR RAM数量;2)采用FPGA设计mController,包括:2.1)生成刷新ZQ模块,用于多个DDR RAM周期刷新和ZQ同步;2.2)生成写命令模块,生成DDR RAM写命令,用于对并行级联的DDR RAM写地址统一管理;2.3)生成读命令模块,生成DDR RAM读命令,用于对并行级联DDR RAM的读地址统一管理;2.4)读同步判断模块,用来同步对齐DDR RAM返回的数据组合成新数据输出。采用mController将拆分后的数据写入并行级联的外部存储器,控制数据的同步写入和同步读出,并将数据整合成新的数据输出,提高了高带宽下DDR RAM的接口带宽,大于单个DDR RAM位宽的输入数据也能够被DDR RAM缓存,建立了高速的数据传输通道。
搜索关键词: 一种 带宽 提高 ddr ram 接口 fpga 实现 方法
【主权项】:
一种高带宽下提高DDR RAM接口带宽的FPGA实现方法,其特征在于,包括以下步骤:1)根据输入数据的位宽,计算需要并行级联的DDR RAM数量X:当输入数据的位宽为M比特,单个DDR MIG的数据位宽为N比特,其中M>N,DDR的数量X的计算方法为:M/N可以整除,X=M/N;M/N不可以整除,X=M/N+1;2)采用FPGA设计用于提高DDR RAM的接口带宽的mController,包括:2.1)生成刷新ZQ模块Generate Refresh ZQ,用于多个DDR RAM之间周期刷新和ZQ同步;2.2)生成写命令模块Generate Write command,生成DDR RAM写命令,用于对X个DDR RAM并行级联的写地址统一管理;2.3)生成读命令模块Generate Read command,生成DDR RAM读命令,用于对X个DDR并行级联的读地址统一管理;2.4)读同步判断模块Read Synchronous judge,用来同步对齐X个DDR RAM返回的X组数据,对齐后组合成一组数据输出。
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