[发明专利]一种高带宽下提高DDR RAM接口带宽的FPGA实现方法有效
申请号: | 201710330941.5 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107133407B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 马彬 | 申请(专利权)人: | 成都欧飞凌通讯技术有限公司 |
主分类号: | G06F30/34 | 分类号: | G06F30/34;G11C16/10 |
代理公司: | 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 | 代理人: | 张鸣洁 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带宽 提高 ddr ram 接口 fpga 实现 方法 | ||
本发明公开了一种高带宽下提高DDR RAM接口带宽的FPGA实现方法,包括以下步骤:1)计算并行级联的DDR RAM数量;2)采用FPGA设计mController,包括:2.1)生成刷新ZQ模块,用于多个DDR RAM周期刷新和ZQ同步;2.2)生成写命令模块,生成DDR RAM写命令,用于对并行级联的DDR RAM写地址统一管理;2.3)生成读命令模块,生成DDR RAM读命令,用于对并行级联DDR RAM的读地址统一管理;2.4)读同步判断模块,用来同步对齐DDR RAM返回的数据组合成新数据输出。采用mController将拆分后的数据写入并行级联的外部存储器,控制数据的同步写入和同步读出,并将数据整合成新的数据输出,提高了高带宽下DDR RAM的接口带宽,大于单个DDR RAM位宽的输入数据也能够被DDR RAM缓存,建立了高速的数据传输通道。
技术领域
本发明涉及通信技术领域,具体的说,是一种高带宽下提高DDR RAM接口带宽的FPGA实现方法。
背景技术
FPGA(Field-Programmable Gate Array),即现场可编程门阵列,它是在PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路(ASIC)领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电路的不足,又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。FPGA是由存放在片内RAM中的程序来设置其工作状态的,因此,工作时需要对片内的RAM进行编程。用户可以根据不同的配置模式,采用不同的编程方式。加电时,FPGA芯片将EPROM中数据读入片内编程RAM中,配置完成后,FPGA进入工作状态。掉电后,FPGA恢复成白片,内部逻辑关系消失,因此,FPGA能够反复使用。FPGA的编程无须专用的FPGA编程器,只须用通用的EPROM、PROM编程器即可。当需要修改FPGA功能时,只需换一片EPROM即可。这样,同一片FPGA,不同的编程数据,可以产生不同的电路功能。因此,FPGA的使用非常灵活。FPGA与外部存储器建立数据通道,可以方便灵活的利用软件程序编程实现对数据的处理,但是由于目前的FPGA和外部DDR RAM(DDR2/DDR3等等)建立数据通道时,FPGA的DDR控制器IP只能管理一个DDR,因此只能一组或多组数据经过调度存储于同一个DDR内,当数据突发带宽超过单个DDR的有效带宽时,就会造成数据丢失。因此如何与外部存储器建立快速高效的数据传输通道,在高带宽下提高DDR RAM的接口带宽,成为FPGA急需解决的难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高带宽下提高DDR RAM接口带宽的FPGA实现方法,用于解决现有技术中,FPGA的DDR控制器IP只能管理和调度存储于同一个DDR RAM一组或多组数据,当数据突发带宽超过单个DDR的有效带宽时,就会造成数据丢失的问题。
为了达到上述目的,本发明通过下述技术方案实现:
一种高带宽下提高DDR RAM接口带宽的FPGA实现方法,包括以下步骤:
1)根据输入数据的位宽,计算需要并行级联的DDR RAM数量X:当输入数据的位宽为M比特,单个DDR MIG的数据位宽为N比特,其中MN,DDR的数量X的计算方法为:
M/N可以整除,X=M/N;
M/N不可以整除,X=M/N+1;
2)采用FPGA设计用于提高DDR RAM的接口带宽的mController,包括:
2.1)生成刷新ZQ模块Generate Refresh ZQ,用于多个DDR RAM之间周期刷新和ZQ同步;
2.2)生成写命令模块Generate Write command,生成DDR RAM写命令,用于对X个DDR RAM并行级联的写地址统一管理;
2.3)生成读命令模块Generate Read command,生成DDR RAM读命令,用于对X个DDR并行级联的读地址统一管理;
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