[发明专利]一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法

摘要

本发明创造提供了一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法，选取经过处理的硅作为衬底硅，配置1号液清洗衬底硅，去除衬底硅表面的金属离子及有机沾污；配置2号液清洗上述衬底硅，去除自然氧化层和前序工艺产生的氧化层；配置3号液对上述衬底硅表面进行亲水性处理，旋转甩干处理后的衬底硅，通过蒸发或者溅射的方式将金属与衬底硅结合得到肖特基势垒层，本发明创造所述的一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法，衬底硅经过清洗后表面表现为亲水性，能有效去除衬底硅表面的杂质，保证了清洗工艺的效果，提高势垒的均匀性，进而减小隧穿电流，减少漏电流，提高肖特基势垒器件的质量。

主权项

一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法，所述肖特基势垒层通过蒸发或者溅射的方式将金属与衬底硅结合形成,其特征在于：在蒸发或者溅射之前对衬底硅表面进行清洗，所述清洗方法包括如下步骤：(1)量取一定量的浓硫酸和双氧水，并将浓硫酸和双氧水按体积比混合配置成1号液，用1号液清洗衬底硅表面并对衬底硅表面冲水，去除衬底硅表面的金属离子及有机沾污；(2)量取一定量的氢氟酸和蒸馏水，混合例配置成2号液，用2号液清洗步骤(1)得到的衬底硅表面，进行槽腐蚀，并对衬底硅表面冲水，去除自然氧化层和前序工艺产生的氧化层；(3)量取一定量的双氧水和蒸馏水，混合配置成3号液，用3号液清洗步骤(2)得到的衬底硅表面并对衬底硅表面冲水，对衬底硅表面进行亲水性处理；(4)通过旋转甩干方式对步骤(3)得到的衬底硅进行干燥处理。