[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201710308737.3 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN106876481B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 操彬彬;孙林;王超 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/428;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 林桐苒;李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置。该氧化物薄膜晶体管制造方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层；从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理，以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率低于所述有源层与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率，其中，所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分与所述源/漏电极层电连接。本发明实施例提供的方案，减少了有源层和源/漏电极层间的搭接电阻，提升了氧化物薄膜晶体管的开态电流，迁移率和开关比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层；从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理，以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率低于所述有源层与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率，其中，所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分与所述源/漏电极层电连接。
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