[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置

说明书

一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置。该氧化物薄膜晶体管制造方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层；从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理，以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率低于所述有源层与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率，其中，所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分与所述源/漏电极层电连接。本发明实施例提供的方案，减少了有源层和源/漏电极层间的搭接电阻，提升了氧化物薄膜晶体管的开态电流，迁移率和开关比。

技术领域

本发明涉及显示技术，尤指一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

随着显示器件的越发成熟，氧化物有源层的需求越来越高。氧化物半导体作为有源层材料，相比传统的非晶硅(a-Si)材料具有载流子迁移率高、制备温度低、大面积均匀性优良、光学透过率高等优势，这些优势也决定了氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)适用于制备高分辨率的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)、有源矩阵有机发光二极体面板(AM-OLED)、柔性显示、透明显示等新型显示器件。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明至少一实施例提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，提高了氧化物薄膜晶体管的电学性能。

本发明一实施例提供了一种种氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层；

从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理，以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率低于所述有源层与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率，其中，所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分与所述源/漏电极层电连接。

在本发明一可选实施例中，所述方法还包括：

在形成所述源漏极电极层之前，在所述有源层上形成刻蚀阻挡层。

在本发明一可选实施例中，所述激光退火工艺为准分子激光退火工艺。

在本发明一可选实施例中，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述源/漏电极层上的绝缘层后执行。

在本发明一可选实施例中，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述有源层后且形成所述源/漏电极层前执行。

在本发明一可选实施例中，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述刻蚀阻挡层后且形成所述源/漏电极层前执行。

在本发明一可选实施例中，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述源/漏电极层后执行。

本发明一实施例提供一种氧化物薄膜晶体管，包括：依次设置在衬底基板上的栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层，其中：

所述有源层包括被从所述衬底基板背面进行的激光退火工艺处理形成的两个部分：与所述栅极金属层重叠的第一部分，未与所述栅极金属层重叠的第二部分，且所述第二部分的电阻率低于所述第一部分的电阻率，且所述第二部分与所述源/漏电极层电连接。

在本发明一可选实施例中，所述氧化物薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层上的刻蚀阻挡层。

本发明一实施例提供一种阵列基板，包括上述氧化物薄膜晶体管。

本发明一实施例提供一种显示装置，包括上述阵列基板。

本发明实施例中，对氧化物半导体形成的有源层进行激光退火处理，提升了氧化物薄膜晶体管的开态电流，迁移率和开关比。