[发明专利]3-硝基酪氨酸的分子印迹电化学传感器的制备及应用

摘要

本发明公开一种3‑硝基酪氨酸的分子印迹电化学传感器的制备及应用，首先将多壁碳耦合氧化石墨烯纳米带滴涂于玻碳电极上，得到功能化纳米材料电极，电极在掺杂纳米金‑分子印迹聚合物溶液中表面聚合分子印迹聚合物和沉积掺杂纳米金，形成一层分子印迹膜，去除3‑硝基酪氨酸模板分子得到功能化纳米材料分子印迹电化学传感器。本发明公开的传感器，选择性好；对生物标记物3‑硝基酪氨酸灵敏度高；具有制作简单、性能稳定，能重复使用；且制备价格低廉，样品前处理简单，检测快速，设备便携适合现场检测。

主权项

1.一种3‑硝基酪氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法，具体步骤如下：1)多壁碳耦合氧化石墨烯纳米带悬浊液滴在玻碳电极表面沉积后电活化得到多壁碳耦合氧化石墨烯纳米带修饰电极；2)配制0.1mol/L KNO₃溶液，加入3‑硝基酪氨酸、吡咯和氯金酸溶液，超声形成均一溶液；所述吡咯、3‑硝基酪氨酸和氯金酸的摩尔比为1:1:1；步骤1)所得多壁碳耦合氧化石墨烯纳米带修饰电极在配制的均一溶液中进行电聚合形成分子印迹膜；电聚合条件为：在扫描速度为0.05～0.1V/s、电位范围为‑1.0～1.0V循环扫描8～10圈；3)将步骤2)制备的传感器中的3‑硝基酪氨酸模板分子去除，制得所述3‑硝基酪氨酸的分子印迹电化学传感器。