[发明专利]3-硝基酪氨酸的分子印迹电化学传感器的制备及应用

权利要求书

1.一种3-硝基酪氨酸的分子印迹电化学传感器的制备方法，具体步骤如下：

1)多壁碳耦合氧化石墨烯纳米带悬浊液滴在玻碳电极表面沉积后电活化得到多壁碳耦合氧化石墨烯纳米带修饰电极；

2)配制0.1mol/L KNO₃溶液，加入3-硝基酪氨酸、吡咯和氯金酸溶液，超声形成均一溶液；所述吡咯、3-硝基酪氨酸和氯金酸的摩尔比为1:1:1；步骤1)所得多壁碳耦合氧化石墨烯纳米带修饰电极在配制的均一溶液中进行电聚合形成分子印迹膜；电聚合条件为：在扫描速度为0.05～0.1V/s、电位范围为-1.0～1.0V循环扫描8～10圈；

3)将步骤2)制备的传感器中的3-硝基酪氨酸模板分子去除，制得所述3-硝基酪氨酸的分子印迹电化学传感器。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤1)中，所述玻碳电极需经过预处理，所述预处理过程如下：将玻碳电极抛光冲洗后，再进行超声清洗，然后于铁氰化钾中扫描，直到得到可逆的循环伏安峰为止。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤1)中，所述多壁碳耦合氧化石墨烯纳米带悬浊液的制备过程如下：取多壁碳耦合氧化石墨烯纳米带于容器中，超声，得到分散均匀的多壁碳耦合氧化石墨烯纳米带悬浊液；所述多壁碳耦合氧化石墨烯纳米带悬浊液的浓度为0.4mg/mL。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤1)中，所述电活化的过程如下：将沉积的电极浸于pH＝7.0的磷酸缓冲液中，采用0.6V～-1.8V电压，以0.1～0.5V/s的扫描速率循环扫描10～15圈进行电活化。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤3)中，所述3-硝基酪氨酸模板分子去除的过程如下：将步骤2)制备的传感器浸入pH＝7.0的磷酸缓冲液中6～8min即可。

6.一种运用权利要求1～5任一所述方法制备的3-硝基酪氨酸的分子印迹电化学传感器。

7.一种权利要求1～5任一所述方法制备的3-硝基酪氨酸的分子印迹电化学传感器在定性或定量检测3-硝基酪氨酸分子的应用。