[发明专利]一种带载流子寿命调节区的功率MOSFET器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种带载流子寿命调节区的功率MOSFET器件及其制造方法，其技术特征在于：包括漏极金属层、重掺杂第一导电类型衬底材料、轻掺杂第一导电类型第一外延层、重掺杂第一导电类型载流子寿命调节区、轻掺杂第一导电类型第二外延层、第二导电类型阱区、重掺杂第一导电类型源区、栅介质层、多晶硅栅介质层、ILD介质层、接触金属层、金属层和钝化介质层。重掺杂第一导电类型载流子寿命调节区位于颈区之下，可以复合很大一部分重粒子辐射产生的电子‑空穴对，降低栅氧化层中的峰值电场；具有实现简单、导通电阻低、抗SEGR能力强的优点，可以用于抗辐射加固功率VDMOS器件的设计及制造领域。

主权项

一种带载流子寿命调节区的功率MOSFET器件，其特征在于，包括漏极金属层(101)、重掺杂第一导电类型衬底材料(201)、轻掺杂第一导电类型第一外延层(301)、重掺杂第一导电类型载流子寿命调节区(302)、轻掺杂第一导电类型第二外延层(401)、第二导电类型阱区(402)、重掺杂第一导电类型源区(403)、栅介质层(404)、多晶硅栅介质层(405)、ILD介质层(406)、接触金属层(407)、金属层(408)和钝化介质层(409)；所述重掺杂第一导电类型衬底材料(201)覆盖于漏极金属层(101)之上；所述轻掺杂第一导电类型第一外延层(301)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底材料(201)之上；所述轻掺杂第一导电类型第二外延层(401)覆盖于轻掺杂第一导电类型第一外延层(301)之上；所述重掺杂第一导电类型载流子寿命调节区(302)位于轻掺杂第一导电类型第二外延层(301)和轻掺杂第一导电类型第一外延层(401)之间的部分区域；所述重掺杂第一导电类型载流子寿命调节区(302)部分嵌入轻掺杂第一导电类型第一外延层(301)和轻掺杂第一导电类型第二外延层(401)的内部；所述第二导电类型阱区(402)位于轻掺杂第一导电类型第二外延层(401)的内部；所述第二导电类型阱区(402)的上表面与轻掺杂第一导电类型第二外延层(401)的部分上表面共面；所述重掺杂第一导电类型源区(403)位于第二导电类型阱区(402)的内部；所述重掺杂第一导电类型源区(403)的上表面与第二导电类型阱区(402)的部分上表面共面；所述重掺杂第一导电类型源区(403)的深度小于第二导电类型阱区(402)的深度；所述第二导电类型阱区(402)内的重掺杂第一导电类型源区(403)之间的上表面和重掺杂第一导电类型源区(403)的部分上表面，从下到上依次覆盖有接触金属层(407)、金属层(408)和钝化介质层(409)；所述第二导电类型阱区(402)的剩余上表面和第二导电类型阱区(402)之间的上表面，从下到上依次覆盖栅介质层(404)、多晶硅栅介质层(405)、ILD介质层(406)、金属层(408)和钝化介质层(409)。