[发明专利]光半导体的制造方法、光半导体和制氢装置在审
| 申请号： | 201710300907.3 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107694588A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 村濑英昭;羽藤一仁 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J37/34;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 王磊,徐健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种光半导体的制造方法，该制造方法与以往的制造方法相比，能够安全、简便并且生产能力良好地制造含有过渡金属和氮元素的光半导体。本公开的光半导体的制造方法，包括以下工序在基材(201)上形成含有一种以上的过渡金属的氧化物的工序；通过在比大气压低的压力气氛下，利用以VHF频带的频率产生的含氮的气体的等离子体对所述氧化物实施处理，从而由所述氧化物制作出含有所述过渡金属以及氮元素的光半导体的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种光半导体的制造方法，包括下述工序：在比大气压低的压力气氛下，利用等离子体对含有至少一种过渡金属的氧化物进行处理，从而由所述氧化物得到含有所述过渡金属以及氮元素的所述光半导体，其中，所述等离子体是通过在第1电极与第2电极之间对气体施加30MHz以上且300MHz以下的频带的高频电压而产生的，并且，所述气体是以下气体之中的任一种：(i)氮气；(ii)由氮气和氧气构成的混合气体；(iii)由氮气和稀有气体构成的混合气体；(iv)由氮气、氧气和稀有气体构成的混合气体。
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