[发明专利]低噪声装置在审
| 申请号： | 201710299656.1 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107437558A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 梁其翔;黄崎峰;蔡辅桓;郭舫廷;何孟昌;魏佑霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种低噪声装置包括隔离特征，所述隔离特征位于衬底中。所述低噪声装置进一步包括栅极堆叠，所述栅极堆叠位于所述衬底中的沟道的上方。所述栅极堆叠包括栅极介电层以及栅极电极，所述栅极介电层延伸于所述隔离特征的一部分的上方，所述栅极电极位于所述栅极介电层的上方。所述低噪声装置进一步包括电荷陷获减少结构，所述电荷陷获减少结构相邻于所述隔离特征。所述电荷陷获减少结构被配置用以减少与所述隔离特征与所述沟道之间的界面相邻的电荷载流子的数目。 | ||
| 搜索关键词： | 噪声 装置 | ||
【主权项】：
一种低噪声装置，其特征在于，包括：隔离特征，位于衬底中；栅极堆叠，位于所述衬底中的沟道的上方，其中所述栅极堆叠包括：栅极介电层，延伸于所述隔离特征的一部分的上方，以及栅极电极，位于所述栅极介电层的上方；以及电荷陷获减少结构，相邻于所述隔离特征，其中所述电荷陷获减少结构被配置用以减少与所述隔离特征与所述沟道之间的界面相邻的电荷载流子的数目。
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