[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201710289222.3 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106876281B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 邸云萍;杨维;王利忠 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，涉及显示技术领域，可以在形成源极和漏极的过程中，避免刻蚀液对氧化物有源层的表面造成损伤，进而影响薄膜晶体管的特性和信赖稳定性。一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成氧化物有源层、源极和漏极；源极和漏极均包括第一透明导电层，第一透明导电层覆盖氧化物有源层；源极还包括位于第一透明导电层远离衬底一侧的第一金属层、第二透明导电层；第二透明导电层覆盖第一金属层；漏极还包括位于第一透明导电层远离衬底一侧的第二金属层、第三透明导电层；第三透明导电层覆盖第二金属层；其中，第一透明导电层位于源极和漏极之间的部分的导电性小于等于氧化物有源层的导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成氧化物有源层、源极和漏极；所述源极和所述漏极均包括第一透明导电层，所述第一透明导电层覆盖所述氧化物有源层；所述源极还包括位于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的第一金属层、第二透明导电层；所述第二透明导电层覆盖所述第一金属层；所述漏极还包括位于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的第二金属层、第三透明导电层；所述第三透明导电层覆盖所述第二金属层；其中，所述第一透明导电层位于所述源极和所述漏极之间的部分的导电性小于等于所述氧化物有源层的导电性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710289222.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
