[发明专利]一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构有效
| 申请号： | 201710286225.1 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106910804B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 全知觉;陶喜霞;徐龙权;丁杰;莫春兰;张建立;王小兰;刘军林;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 36100 江西省专利事务所 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同。本发明可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，改善空穴与电子的匹配度，从而提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 alingan 基多 量子 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
1.一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，其特征在于：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑；所述V坑的尺寸大小相同，在N型层生长平面或P型层生长平面的投影为周期性排列的正六边形，每个正六边形都仅与其它六个正六边形相邻；所有正六边形的边长均相等，且任意相邻两个正六边形的中心距相等；任意相邻两个正六边形之间最近邻边相互平行，从而使得平面量子阱在生长平面的投影为呈正六边形环组成的网状结构；在多量子阱结构生长结束之后，P型层生长开始之前时，所述V坑在(0001)晶面族生长平面的正六边形投影的边长a值范围为0.02～0.5微米，相邻两个正六边形的中心距d值大于正六边形边长a值的2倍：d>2a，且所有正六边形面积之和与多量子阱在生长平面的面积之比η值范围为25%～55%。/n
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