[发明专利]应用于平行光照明的发光二极管有效
| 申请号： | 201710284821.6 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107170867B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 王文峰;刘一霖;赵江;熊晖;张军 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张涛;张瑾 |
| 地址： | 430060 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应用于平行光照明的发光二极管，包括发光二极管芯片、热沉以及光学封装体，所述发光二极管芯片的下表面与所述热沉接触，其上表面及四个侧面均为发光表面，所述光学封装体包覆于所述发光二极管芯片外，所述发光表面的部分区域覆盖有抑制光辐射的覆盖层。本发明通过在发光二极管芯片的发光表面的部分区域覆盖抑制光辐射的覆盖层，抑制发光二极管的总辐射通量，使得其他未处理发光表面区域获得极大辐射出射度，该光源将有利于降低平行光发散角，优化平行光的照明设计。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 平行 照明 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种应用于平行光照明的发光二极管，包括发光二极管芯片、热沉以及光学封装体，所述发光二极管芯片的下表面与所述热沉接触，其上表面及四个侧面均为发光表面，所述光学封装体包覆于所述发光二极管芯片外，其特征在于：所述发光表面的部分区域覆盖有抑制光辐射的覆盖层，所述发光二极管采用覆晶封装结构且两电极都位于发光二极管芯片的下表面，所述发光二极管芯片的衬底被减薄或者剥离，所述发光二极管芯片减薄后的衬底的厚度为0‑80微米，所述发光二极管芯片为发紫外光的AlGaN材料体系的LED芯片，所述覆盖层覆盖于减薄或者剥离衬底后的发光二极管芯片的上表面的全部区域，所述光学封装体为中空的石英体，所述光学封装体的内侧具有与所述发光二极管芯片的侧面间隔设置的竖直面，所述光学封装体的外侧具有与所述竖直面处于同一高度且与水平方向呈45度角的第一倾斜面，所述光学封装体的外侧还具有位于第一倾斜面上方且与第一倾斜面沿水平方向对称设置的第二倾斜面，所述光学封装体的内侧还具有与第二倾斜面处于同一高度且与第二倾斜面平行设置的第三倾斜面，所述光学封装体的顶部具有位于第三倾斜面上方的水平面。
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