[发明专利]CdZnTe平面探测器表面处理方法

摘要

本发明公开了一种CdZnTe平面探测器表面处理方法，用于解决现有平面探测器表面处理方法处理后的平面探测器能量分辨率差的技术问题。技术方案是在CdZnTe晶片腐蚀之后，用(NH4)2S溶液对CdZnTe晶片表面进行钝化，钝化后用去离子水清洗，最后用真空蒸镀机将晶片两面镀上Au电极。此钝化方法去除了富Te层，形成CdS层沉积在晶体表面，化学计量配比得到改善，减少了电子在晶体表面的散射，腐蚀后形成的悬挂键被中和，有效降低了CdZnTe晶片表面的漏电流，提高了能量分辨率，提升了CdZnTe平面探测器的探测效率。经测试，CZT平面探测器的能量分辨率由之前大于6.5％提高到小于4.5％。

主权项

一种CdZnTe平面探测器表面处理方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、将CZT晶片在磨抛机上先用MgO两面粗抛，再用精抛液抛光；步骤二、将抛光后的CZT晶片清洗干燥后，再配置浓度为1:50的溴甲醇腐蚀液，将CZT晶片在溴甲醇腐蚀液中静止腐蚀2‑5min，腐蚀后用去离子水清洗并干燥；步骤三、将腐蚀后的CZT晶片在半小时内用真空蒸镀法镀Au电极，抽真空5×10‑3Pa后两面蒸镀3‑5min；步骤四、将Au电极面用光刻胶进行保护，通过侧面抛光去除侧面损伤层，再用双氧水侧面钝化5‑10min，最后用丙酮将光刻胶去除，清洗CZT晶片后干燥，得到CZT平面探测器；步骤五、先用6517B吉时利电阻静电计进行材料I‑V曲线的测试，通过I‑V测试CZT平面探测器的漏电流；再用γ射线能谱响应测试系统测试CZT平面探测器的能量分辨率；步骤六、将测试后的CZT平面探测器按照步骤一和步骤二重新处理；水浴锅加热至温度65℃后，把浓度为40wt.％的硫化铵溶液水浴保温5‑10min，将CZT晶片至于硫化铵溶液中硫化1‑5min，硫化后用去离子水清洗并干燥；步骤七、将硫化后的CZT晶片在真空蒸镀机中镀Au电极，蒸镀时间为3‑5min，获得CZT平面探测器。