[发明专利]CdZnTe平面探测器表面处理方法

权利要求书

1.一种CdZnTe平面探测器表面处理方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一、将CZT晶片在磨抛机上先用MgO两面粗抛，再用精抛液抛光；

步骤二、将抛光后的CZT晶片清洗干燥后，再配置浓度为1:50的溴甲醇腐蚀液，将CZT晶片在溴甲醇腐蚀液中静止腐蚀2-5min，腐蚀后用去离子水清洗并干燥；

步骤三、将腐蚀后的CZT晶片在半小时内用真空蒸镀法镀Au电极，抽真空5×10^-3Pa后两面蒸镀3-5min；

步骤四、将Au电极面用光刻胶进行保护，通过侧面抛光去除侧面损伤层，再用双氧水侧面钝化5-10min，最后用丙酮将光刻胶去除，清洗CZT晶片后干燥，得到CZT平面探测器；

步骤五、先用6517B吉时利电阻静电计进行材料I-V曲线的测试，通过I-V测试CZT平面探测器的漏电流；再用γ射线能谱响应测试系统测试CZT平面探测器的能量分辨率；

步骤六、将测试后的CZT平面探测器按照步骤一和步骤二重新处理；水浴锅加热至温度65℃后，把浓度为40wt.％的硫化铵溶液水浴保温5-10min，将CZT晶片至于硫化铵溶液中硫化1-5min，硫化后用去离子水清洗并干燥；

步骤七、将硫化后的CZT晶片在真空蒸镀机中镀Au电极，蒸镀时间为3-5min，获得CZT平面探测器。