[发明专利]一种肖特基势垒二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201710272727.9 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN107359208A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 刘伟 | 申请（专利权）人： | 杭州立昂微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/41;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基势垒二极管，包括第二导电类型掺杂单晶硅衬底，所述衬底上部设有第一导电类型掺杂区，所述第一导电类型掺杂区横向间隔设有多个第一沟槽，两相邻的第一沟槽之间形成有迁移区，所述迁移区和第一沟槽的导电层顶部设置有肖特基势垒金属层，肖特基势垒金属层上设置有阳极金属层；所述第一导电类型掺杂区横向还至少设置有一个第二沟槽，所述第二沟槽与迁移区之间间隔有第一沟槽，所述第二沟槽的导电层顶部设置有阴极金属层，所述阴极金属层与阳极金属层相互不连通。另外，本发明还公开了一种肖特基势垒二极管制造方法。采用本发明，提高了产品的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基势垒二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括第二导电类型掺杂单晶硅衬底，所述衬底上部设有第一导电类型掺杂区，所述第一导电类型掺杂区横向间隔设有多个第一沟槽，两相邻的第一沟槽之间形成有迁移区，所述迁移区和第一沟槽的导电层顶部设置有肖特基势垒金属层，肖特基势垒金属层上设置有阳极金属层；所述第一导电类型掺杂区横向还至少设置有一个第二沟槽，所述第二沟槽与迁移区之间间隔有第一沟槽，所述第二沟槽的导电层顶部设置有阴极金属层，所述阴极金属层与阳极金属层相互不连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州立昂微电子股份有限公司，未经杭州立昂微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710272727.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示面板和显示装置
- 下一篇：用于制造光电转换设备的方法
- 同类专利
- 专利分类
