[发明专利]一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件

摘要

本发明属于半导体技术领域，公开了一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件，方法：提供衬底、沉积第一阻挡层、在NMOS区域上形成第一功函数层、沉积第二功函数层、使NMOS、PMOS区域上的不同鳍片上具有不同厚度的第二功函数层、沉积第三功函数层、去除第二、第四鳍片上的第三功函数层。器件：衬底、第一阻挡层、第一功函数层、第二功函数层、第三功函数层。本发明解决了现有技术中CMOS器件阈值调节工艺复杂，NMOS和PMOS之间易产生关联寄生影响，阈值控制精度较低，器件叠层结构复杂的问题，达到了NMOS和PMOS之间阈值调节关联影响较小，CMOS器件叠层结构简单的技术效果。

主权项

1.一种调节CMOS器件阈值的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域包括第一鳍片和第二鳍片，所述PMOS区域包括第三鳍片和第四鳍片；沉积第一阻挡层；在所述NMOS区域的所述第一阻挡层上形成第一功函数层；沉积第二功函数层；在所述NMOS区域上进行局部处理，使所述第一鳍片和所述第二鳍片上具有不同厚度的所述第二功函数层；在所述PMOS区域上进行局部处理，使所述第三鳍片和所述第四鳍片上具有不同厚度的所述第二功函数层；沉积第三功函数层；选择腐蚀所述第三功函数层，去除所述第二鳍片和所述第四鳍片上的所述第三功函数层；其中，所述在所述NMOS区域的所述第一阻挡层上形成第一功函数层的方法为：沉积第一功函数层；选择腐蚀所述第一功函数层，去除所述PMOS区域上的所述第一功函数层；其中，所述第三功函数层的厚度小于所述第一功函数层的厚度。