[发明专利]一种用低品位硅藻土制造氮化硅的制备方法在审
申请号: | 201710266544.6 | 申请日: | 2017-04-21 |
公开(公告)号: | CN106892665A | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 华泽庆;华家玮 | 申请(专利权)人: | 华泽庆 |
主分类号: | C04B35/594 | 分类号: | C04B35/594;C04B35/626 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 134300 吉林省白山市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明公开了一种用低品位硅藻土制造氮化硅的制备方法,其特征在于,它的步骤如下(1)硅藻土纯化;(2)氮化;(3)氮化硅纯化。此氮化硅粉末成本低廉,质量优良,可用于制造多种氮化硅成型材料产品。本发明的方法所用的硅藻土为低品位天然硅藻土,工艺简单,成本低廉,所得产品质量优良,具有广泛的应用前景,可用于制造多种氮化硅成型材料产品。 | ||
搜索关键词: | 一种 品位 硅藻土 制造 氮化 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用低品位硅藻土制造氮化硅的制备方法,其特征在于,它的步骤如下:(1)硅藻土纯化将低品位硅藻土进行水洗选矿,将水洗后的硅藻土浸泡在酸溶液中5‑12小时,过滤去除酸溶液后,加入去离子水并调节Ph值为6‑7得到中性硅藻土泥浆,将中性硅藻土泥浆放入球磨机中球磨10‑20小时,过滤得到沉淀物,烘干,即得纯化硅藻土;(2)氮化将步骤(1)中制得的纯化硅藻土放入电炉中,通入氮气,以3‑5℃/min的升温速度升温至800℃,保温4‑5小时,再以8‑10℃/min的升温速度升温至1200℃,保温5‑10小时,再以10‑12℃/min的升温速度升温至1400℃,保温10‑15小时,然后自然冷却至常温,得到初级氮化硅;(3)氮化硅纯化将步骤(2)制得的初级氮化硅浸入5‑10mol/L盐酸溶液中5‑12小时,过滤去除酸液,然后加入去离子水并调节Ph值为6‑7得中性氮化硅溶液,烘干后得中性氮化硅。
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