[发明专利]一种晶硅太阳能电池用液态硼源及其制备方法在审
申请号: | 201710259945.9 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107195543A | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 仝华;孙辛杰;杨云霞;袁双龙;袁晓 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | H01L21/228 | 分类号: | H01L21/228;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200237 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了一种适用于旋涂硼扩散制程的聚硼硅氧烷硼源。该硼源以硅烷和硼酸为原料,采用溶胶凝胶法制备,采用的硼源的n(B/Si)=m,其中0<m≤0.6。采用的硅烷的化学式为(R1)xSi(OR2)y,其中R1为‑CH3或‑CH2CH3,R3为‑CH3、‑CH2CH3或‑CH(CH3)2,x=1或2,y=3或2,且x+y=4。将硅烷和硼酸的混合溶液在20‑60℃下搅拌1‑3天直至溶液由浑浊变为澄清,所得聚硼硅氧烷液态硼源通过旋涂、烘干和扩散等工艺,可在N型硅片上得到30‑200Ω/□的方块电阻。该硼源的浓度和纯度高,适用于旋涂硼扩散制程。其制备方法简单易行、合成条件温和、材料成本低,适于大规模生产和利用。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 液态 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种液态硼源及其制备方法,其特征在于液态硼源由聚硼硅氧烷和溶剂组成,聚硼硅氧烷的结构如下:其中R1为‑CH3或‑CH2CH3,R2为‑OH、‑CH3或‑CH2CH3。其制备方法是:按一定摩尔比例称取、混合有机硅烷和硼酸,将混合物在20‑60℃搅拌1‑3天。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东理工大学,未经华东理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710259945.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种悬臂式起重机及其使用方法
- 下一篇:便于维修卷扬机的起吊小车
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造