[发明专利]一种透光薄膜太阳能电池组件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710259829.7 申请日: 2017-04-20
公开(公告)号: CN107123694B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 张宁;余新平;丁阳;韩美英;李爽;徐会杰;戴万雷 申请(专利权)人: 北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0463;H01L31/18
代理公司: 北京智绘未来专利代理事务所(普通合伙) 11689 代理人: 张红莲
地址: 100085 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种透光薄膜太阳能电池组件及其制备方法,该电池组件在垂直方向上从下至上依次为前板透光衬底层(a)、非透明导电金属层(b)、薄膜光电转化层(c)、透明导电氧化物层(d)、封装层(e)和背板透光衬底层(f)。该薄膜太阳能电池组件利用不同的电池结构制备出半透明的电池组件。透光区域主要是采用在第一道划刻线P1与第二道划刻线P2之间区域进行多次重叠平行划刻实现,这样死区宽度也就包含了透光区域。此种半透光薄膜太阳能电池没有破坏电池本身的结构,能够实现转化效率更高的效果。
搜索关键词: 一种 透光 薄膜 太阳能电池 组件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种透光薄膜太阳能电池组件的制备方法,包括以下步骤:(1)在前板透光衬底层(a)上沉积第一层非透明导电金属层(b);(2)在预定的死区区域内,利用激光划线技术或机械划刻技术对第一层非透明导电金属层(b)通过第一道刻线进行刻蚀,刻蚀掉部分非透明导电金属露出前板透光衬底层,形成第一道划刻线P1;(3)在第一层非透明导电金属层上沉积薄膜光电转化层(c),所述薄膜光电转化层(c)覆盖在未被刻蚀的第一层非透明导电金属层上,并填充于第一道划刻线P1内;(4)在死区区域内,利用激光划线技术或机械划刻技术对薄膜光电转化层用平行于第一道刻线的第二道刻线进行刻蚀,刻蚀掉部分光电转换层材料露出第一层非透明导电金属,得到平行于第一道划刻线P1的第二道划刻线P2;在第一道划刻线P1与第二道划刻线P2之间区域进行刻蚀露出前板透光衬底层(a)形成透光区域,所述透光区域在水平方向上的总宽度是整个电池组件第一道划刻线P1与第二道划刻线P2之间划刻透光区域宽度之和;(5)在薄膜光电转化层(c)上沉积第二层透明导电氧化物层(d),第二层透明导电氧化物(d)覆盖在未被刻蚀掉的薄膜光电转换层(c)上,并填充于第二道划刻线P2及透光区域内;(6)利用激光划线技术或机械划刻技术,在死区区域内,通过平行于第一和第二刻线的第三道刻线对第二层透明导电氧化物(d)进行刻蚀,刻蚀掉部分第二层透明导电氧化物露出薄膜光电转化层,得到第三道划刻线P3;第三道划刻线P3与第二道划刻线P2之间距离为60‑150um;(7)采用封装材料封装,然后覆盖背板透光衬底层。
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