[发明专利]一种透光薄膜太阳能电池组件及其制造方法

说明书

一种透光薄膜太阳能电池组件及其制备方法，该电池组件在垂直方向上从下至上依次为前板透光衬底层(a)、非透明导电金属层(b)、薄膜光电转化层(c)、透明导电氧化物层(d)、封装层(e)和背板透光衬底层(f)。该薄膜太阳能电池组件利用不同的电池结构制备出半透明的电池组件。透光区域主要是采用在第一道划刻线P1与第二道划刻线P2之间区域进行多次重叠平行划刻实现，这样死区宽度也就包含了透光区域。此种半透光薄膜太阳能电池没有破坏电池本身的结构，能够实现转化效率更高的效果。

技术领域

本申请属于光伏领域，具体涉及一种薄膜太阳能电池半透光组件的结构及其制造方法。

背景技术

目前市面上透光薄膜太阳能电池组件大多采用前电极及背电极均为透明导电薄膜氧化物，采用绿激光或红外激光进行横向或竖向划刻(即垂直于P1\P2\P3划线方向)，去除光电转化层来达到透光目的。所述P1为第一道划刻线，P2为第二道划刻线，P3为第三道划刻线。

传统透光组件横向划刻工艺：初级清洗-透光导电氧化物-第一次划刻线-高级清洗-光电吸收层-第二次划刻线-透明导电氧化物-第三次划刻线-第四次划刻线-后端封装工艺。传统的制造工艺第四次划刻线垂直于前三次划刻线破坏了电池结构，容易在与P1/P2/P3交错的地方形成电池短路，影响组件的光学性能，造成组件转化效率降低。

传统透光组件竖向划刻工艺：初级清洗-透光导电氧化物-第一次划刻线-高级清洗-光电吸收层-第二次划刻线多次重叠划刻形成透光区域-透明导电氧化物-第三次划刻线-后端封装工艺。传统工艺中第二次划刻线形成的透光区域存在两层作为前电极及背电极的透明导电氧化物，不能满足非透明导电金属层作为电极制造太阳能电池组件。

发明内容

针对现有的传统技术问题，即横向划刻工艺破坏电池结构组件效率降低问题及竖向划刻工艺不能满足非透明导电金属层作为电极制造太阳能电池组件问题，本申请提出了一种新型的覆盖非透明导电电极的透光太阳能电池组件及其制备方法。该薄膜太阳能电池组件可利用不同的电池结构(薄膜光电转化层)制备出半透明的电池组件；其中透光主要是采用在第一道划刻线P1与第二道划刻线P2之间多次重叠平行划刻去除吸收转化层及第一层非透明导电层来实现。

为解决上述技术问题，本申请采用以下技术方案。

本申请其中一件发明即一种透光薄膜太阳能组件的技术方案如下：

一种透光薄膜太阳能电池组件，该电池组件在水平方向上包括多个有效区h和位于任意相邻两个有效区h之间的死区g；该电池组件在垂直方向上从下至上依次为前板透光衬底层a、第一层非透明导电金属层b、薄膜光电转化层c、第二层透明导电氧化物层d、封装层e、和背板透光衬底层f；在第一层非透明导电金属层b上形成第一道划刻线P1、在薄膜光电转化层c上形成有第二道划刻线P2、在第二层透明导电氧化物层d上形成第三道划刻线P3，且第二道划刻线P2位于第一道划刻线P1和第三道划刻线P3之间；其特征是：

所述第一道划刻线P1、第二道划刻线P2和第三道划刻线P3均位于所述死区g区域内，将位于第一道划刻线P1与第二道划刻线P2之间的部分去除薄膜光电转化层c和第一层非透明导电层b得到太阳能电池组件的透光区域，在水平方向上透光区域的总宽度是整个电池组件第一道划刻线P1与第二道划刻线P2之间划刻透光区域宽度之和。

本发明进一步包括以下优选方案：

所述第二道划刻线P2和第三道划刻线P3之间的间距为60μm-150μm，所述第二道划刻线P2与第一道划刻线P1之间间距为透光区域宽度。

所述封装层e为聚乙烯醇缩丁醛层。

所述薄膜光电转化层c为铜铟镓硒电池层、非晶单层、非晶微晶叠层或其他薄膜形成的光电转化层。

所述前板透光衬底层a和背板透光衬底层f均为钢化玻璃层。