[发明专利]一种透光薄膜太阳能电池组件及其制造方法有效
申请号: | 201710259829.7 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107123694B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 张宁;余新平;丁阳;韩美英;李爽;徐会杰;戴万雷 | 申请(专利权)人: | 北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0463;H01L31/18 |
代理公司: | 北京智绘未来专利代理事务所(普通合伙) 11689 | 代理人: | 张红莲 |
地址: | 100085 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透光 薄膜 太阳能电池 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种透光薄膜太阳能电池组件的制备方法,包括以下步骤:
(1)在前板透光衬底层(a)上沉积第一层非透明导电金属层(b);
(2)在预定的死区区域内,利用激光划线技术或机械划刻技术对第一层非透明导电金属层(b)通过第一道刻线进行刻蚀,刻蚀掉部分非透明导电金属露出前板透光衬底层,形成第一道划刻线P1;
(3)在第一层非透明导电金属层上沉积薄膜光电转化层(c),所述薄膜光电转化层(c)覆盖在未被刻蚀的第一层非透明导电金属层上,并填充于第一道划刻线P1内;
(4)在死区区域内,利用激光划线技术或机械划刻技术对薄膜光电转化层用平行于第一道刻线的第二道刻线进行刻蚀,刻蚀掉部分光电转换层材料露出第一层非透明导电金属,得到平行于第一道划刻线P1的第二道划刻线P2;在第一道划刻线P1与第二道划刻线P2之间区域进行刻蚀露出前板透光衬底层(a)形成透光区域,所述透光区域在水平方向上的总宽度是整个电池组件第一道划刻线P1与第二道划刻线P2之间划刻透光区域宽度之和;
(5)在薄膜光电转化层(c)上沉积第二层透明导电氧化物层(d),第二层透明导电氧化物(d)覆盖在未被刻蚀掉的薄膜光电转换层(c)上,并填充于第二道划刻线P2及透光区域内;
(6)利用激光划线技术或机械划刻技术,在死区区域内,通过平行于第一和第二刻线的第三道刻线对第二层透明导电氧化物(d)进行刻蚀,刻蚀掉部分第二层透明导电氧化物露出薄膜光电转化层,得到第三道划刻线P3;第三道划刻线P3与第二道划刻线P2之间距离为60-150um;
(7)采用封装材料封装,然后覆盖背板透光衬底层。
2.根据权利要求1所述的透光薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征是:
在步骤(2)中,第一道划刻线P1的宽度为25um-35um。
3.根据权利要求1所述的透光薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征是:
在步骤(4)中,第二道划刻线P2划线宽度为50um-60um;
透光区域中单条划线宽度为30-60um。
4.根据权利要求1或3所述的透光薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征是:
在步骤(4)中,第一道划刻线P1与第二道划刻线P2之间的距离即划刻透光区域宽度由实际需要的透过组件的光强决定,当实际需要的透过的光强大时,则需要增大第一道划刻线P1与第二道划刻线P2间距离,即增大划刻透光区域宽度。
5.根据权利要求4所述透光薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征是:
在步骤(4)中,单个透光区域所需的宽度在单条划刻线不能满足透光需求的情况下,需多次重叠划刻达到透光区域所需的宽度;透光区域内各划刻线重叠区域为5-10um。
6.根据权利要求5所述的透光薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征是:
在步骤(6)中,第三道划刻线P3的宽度为50um-60um。
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