[发明专利]用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置

摘要

一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含在1H‑NMR光谱中满足等式1和2的含硅聚合物以及溶剂。等式1和2的定义与具体实施方式中相同。根据一个实施例的用于形成二氧化硅层的含硅聚合物具有极佳耐蚀刻性、间隙填充特征以及平面化特征。通过提供包含其的组成物，所获得的二氧化硅层可实现极佳耐蚀刻性和平面化特征。B/A＝0.2到0.4 [等式1](A+B)/C＝4.8到12.0 [等式2]。

主权项

一种用于形成二氧化硅层的组成物，其特征在于，包括：含硅聚合物以及溶剂，其中所述含硅聚合物的1H‑NMR光谱满足等式1以及2：[等式1]B/A＝0.2到0.4[等式2](A+B)/C＝4.8到12.0其中，在等式1以及等式2中，A为大于或等于4.5ppm以及小于5.5ppm的峰面积，B为大于或等于3.8ppm以及小于4.5ppm的峰面积，以及C为大于或等于0.2ppm以及小于2.5ppm的峰面积：限制条件为所述1H‑NMR光谱根据条件1测量：[条件1]将含硅聚合物添加到二丁醚溶剂中以制备固体含量为15±0.1重量％的样品1，获取3立方厘米的样品1，使用旋涂器在直径8英寸的硅晶片中心分配所述样品1，以及以1,500转/分钟将其旋转5分钟以在所述硅晶片上形成膜，用切割器获取所述膜以及将所获取的所述膜与CDCl3溶剂混合以制备溶液，制备样品2，其中所获取的所述膜的含量为按所述溶液的总量计的3.0重量％，以及在300兆赫兹下测量所述样品2的1H‑NMR光谱。