[发明专利]用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置

说明书

一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含在¹H‑NMR光谱中满足等式1和2的含硅聚合物以及溶剂。等式1和2的定义与具体实施方式中相同。根据一个实施例的用于形成二氧化硅层的含硅聚合物具有极佳耐蚀刻性、间隙填充特征以及平面化特征。通过提供包含其的组成物，所获得的二氧化硅层可实现极佳耐蚀刻性和平面化特征。B/A＝0.2到0.4 [等式1](A+B)/C＝4.8到12.0 [等式2]。

相关申请的交叉参考

本申请主张2016年8月31日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请第10-2016-0112026号和2016年9月22日在韩国知识产权局申请的第10-2016-0121750号的优先权和权益，其全部内容以引入的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、使用所述组成物制造的二氧化硅层及电子装置。

背景技术

平板显示器使用包含栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)作为切换装置，且配备有传递用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和传递施加到像素电极的信号的数据线。另外，在半导体与若干电极之间形成绝缘层以将其隔开。

绝缘层一般为通过将含硅聚合物转化成氧化硅形成的二氧化硅层。在本文中，根据含硅聚合物的结构，二氧化硅层的耐蚀刻性、间隙填充特征、平面化特征以及类似者可以不同，且可能影响用于形成二氧化硅层的组成物的储存稳定性。这些特征彼此具有折衷关系，且因此需要同时满足特性的二氧化硅层。

发明内容

一个实施例提供具有改善耐蚀刻性、间隙填充特征以及平面化特征的用于形成二氧化硅层的组成物。

另一实施例提供包含通过转化用于形成二氧化硅层的含硅聚合物获得的氧化硅组分的二氧化硅层。

又一实施例提供一种包含二氧化硅层的电子装置。

根据一个实施例，用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的¹H-NMR光谱满足等式1和2。

[等式1]

B/A＝0.2到0.4

[等式2]

(A+B)/C＝4.8到12.0

在等式1和2中，

A为大于或等于4.5ppm以及小于5.5ppm的峰面积，

B为大于或等于3.8ppm以及小于4.5ppm的峰面积，以及

C为大于或等于0.2ppm以及小于2.5ppm的峰面积：

¹H-NMR光谱根据条件1测量：

[条件1]

将含硅聚合物添加到二丁醚(DBE)溶剂中以制备固体含量为15±0.1重量％的样品1，

获取3立方厘米的样品1，使用旋涂器在直径8英寸的硅晶片中心分配样品1，且以1,500转/分钟(1500rpm)将其旋转5分钟以在所述硅晶片上形成膜，

用切割器获取所述膜且将所获取的膜与CDCl₃(氯仿-d)溶剂混合以制备溶液，

制备样品2，其中所获取的膜含量为按所述溶液的总量计的3.0重量％，以及

在300兆赫兹(MHz)下测量样品2的¹H-NMR光谱。

在等式2中，(A+B)/C可在5.0到10.5范围内。