[发明专利]用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层和电子装置

权利要求书

1.一种用于形成二氧化硅层的组成物，其特征在于，包括：

含硅聚合物以及溶剂，

其中所述含硅聚合物的¹H-NMR光谱满足等式1以及2：

[等式1]

B/A＝0.2到0.4

[等式2]

(A+B)/C＝4.8到12.0

其中，在等式1以及等式2中，

A为大于或等于4.5ppm以及小于5.5ppm的峰面积，

B为大于或等于3.8ppm以及小于4.5ppm的峰面积，以及

C为大于或等于0.2ppm以及小于2.5ppm的峰面积：

限制条件为所述¹H-NMR光谱根据条件1测量：

[条件1]

将含硅聚合物添加到二丁醚溶剂中以制备固体含量为15±0.1重量％的样品1，

获取3立方厘米的样品1，使用旋涂器在直径8英寸的硅晶片中心分配所述样品1，以及以1,500转/分钟将其旋转5分钟以在所述硅晶片上形成膜，

用切割器获取所述膜以及将所获取的所述膜与CDCl₃溶剂混合以制备溶液，

制备样品2，其中所获取的所述膜的含量为按所述溶液的总量计的3.0重量％，以及

在300兆赫兹下测量所述样品2的¹H-NMR光谱。

2.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物，其中在方程式2中，(A+B)/C在5.0到10.5范围内。

3.根据权利要求2所述的用于形成二氧化硅层的组成物，其中在方程式2中，(A+B)/C在5.2到9.0范围内。

4.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物，其中所述含硅聚合物包含聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。

5.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物，其中所述含硅聚合物具有1,000到100,000的重量平均分子量。

6.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物，其中所述含硅聚合物具有500到10,000的数目平均分子量。

7.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物，其中所述溶剂包含由苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环己烷、对薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁基酮以及其组合中选出的至少一种。

8.根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物，其中所述含硅聚合物以按所述用于形成二氧化硅层的组成物的总量计以0.1重量％到30重量％的量包含在内。

9.一种二氧化硅层，其特征在于，由根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组成物制成。

10.一种电子装置，其特征在于，包括根据权利要求9所述的二氧化硅层。