[发明专利]PIN单元器件及其制备方法和指纹识别传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710258504.7 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN107017268B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 孙建明;李东升;任庆荣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/032;H01L31/105;H01L31/18;G06K9/00 |
| 代理公司： | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 林桐苒;李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本文公开了一种PIN单元器件及其制备方法和指纹识别传感器及其制备方法，本发明提供的PIN器件包括：下部电极、PI层、氧化物半导体层、上部电极，以及保护层。其中，氧化物半导体层可以为：如铟镓锌氧化物(IGZO)等。本发明的PIN单元器件中，采用氧化物半导体代替A‑Si作为N+层，由于氧化物半导体如IGZO带隙较宽，对可见光完全透明，因此，能让更多的可见光到达本征层，从而提高了PIN器件的光响应特性。 | ||
| 搜索关键词： | pin 单元 器件 及其 制备 方法 指纹识别 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种PIN单元器件，其特征在于，应用在包括氧化物薄膜晶体管的指纹识别传感器中，包括：下部电极、设置在所述下部电极上的p型重掺杂和设置在所述p型重掺杂上的本征层、设置在所述本征层上的氧化物半导体层、设置在所述氧化物半导体层上的上部电极，以及保护层；所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物IGZO；其中，/n氧化物半导体层为n型重掺杂层N+层；/n所述下部电极与氧化物薄膜晶体管的门电极通过同一次半色调掩膜工艺形成；/n所述氧化物半导体层与氧化物薄膜晶体管的有源层通过同一次工艺形成；所述IGZO在等离子体化学气相沉积中经过氢气等离子处理，电阻率小于或等于10000；/n所述上部电极与氧化物薄膜晶体管的遮光层通过同一次工艺形成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
